[实用新型]叠瓦电池片的制造系统

权利要求书

1.一种用于制造叠瓦电池片的系统，其特征在于包括：

预处理设备，用于对硅片进行预处理；

丝网印刷设备，其接收预处理设备输出的硅片，并通过丝网印刷将贵金属浆料印刷在经预处理的硅片的表面；

烧结固化设备，其接收丝网印刷设备输出的硅片，并对硅片进行高温烧结固化以形成叠瓦电池片；

在线切割裂片设备，其接收烧结固化设备输出的叠瓦电池片，并对叠瓦电池片进行在线切割裂片以形成多个叠瓦电池小片；以及

后处理设备，其接收在线切割裂片设备输出的多个叠瓦电池小片，并对多个叠瓦电池小片分别进行后处理。

2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述预处理设备包括以下设备：

制绒设备，用于对硅片进行表面制绒；

扩散制结设备，其接收制绒设备输出的硅片，并对硅片进行扩散制结以在硅片内形成PN结；

刻蚀设备，其接收扩散制结设备输出的硅片，并通过刻蚀去除硅片边缘的PN结；

镀膜设备，其接收刻蚀设备输出的硅片，并在硅片正面沉积一层或多层减反射膜，在硅片背面沉积背钝化膜。

3.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述预处理设备包括以下设备：

制绒设备，用于对硅片进行表面制绒；

镀膜设备，其接收制绒设备输出的硅片，并在硅片表面沉积非晶硅，在非晶硅表面沉积透明导电氧化物薄膜。

4.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述预处理设备包括以下设备：

制绒设备，对硅片进行表面制绒；

扩散制结设备，其接收制绒设备输出的硅片，并在硅片正面扩散P型层以在硅片内形成PN结；

刻蚀设备，其接收扩散制结设备输出的硅片，通过刻蚀去除硅片背面和边缘的P型层以及扩散制结设备中硅片表面形成的杂质；

隧道氧化层及多晶硅层制备设备，其接收刻蚀设备输出的硅片，在硅片背面形成二氧化硅层并在二氧化硅层上形成多晶硅层；

离子注入设备，其接收隧道氧化层及多晶硅层制备设备输出的硅片，并以离子注入方式在多晶硅层中注入磷原子；

退火设备，其接收离子注入设备输出的硅片，并通过退火来激活注入的磷原子；

镀膜设备，其接收退火设备输出的硅片，并在硅片正面沉积第一层膜，然后在硅片的正面和背面沉积第二层膜。

5.根据权利要求2-4中任一权利要求所述的系统，其特征在于，所述后处理设备包括对多个叠瓦电池小片进行测试分选的设备和进行外观检验的设备。

6.根据权利要求2-4中任一权利要求所述的系统，其特征在于，在线切割裂片设备包括物理切割设备和化学切割设备。

7.根据权利要求2-4中任一权利要求所述的系统，其特征在于，在线切割裂片设备包括激光切割设备。

8.根据权利要求2-4中任一权利要求所述的系统，其特征在于，在线切割裂片设备包括线切割设备。

9.根据权利要求2-4中任一权利要求所述的系统，其特征在于，在线切割裂片设备在叠瓦电池片的远离PN结的表面一侧进行激光切割。

10.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，刻蚀设备包括等离子刻蚀设备。

11.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，所述减反射膜包括氮化硅减反射膜。

12.根据权利要求4所述的系统，其特征在于，刻蚀设备包括酸刻蚀设备。

13.根据权利要求4所述的系统，其特征在于，隧道氧化层及多晶硅层制备设备包括低压化学气相层积设备，其在硅片背面形成厚度为1nm-2nm的二氧化硅层并在二氧化硅层上形成厚度为100nm-200nm多晶硅层。