[实用新型]一种低电阻的高导电金属化薄膜有效
| 申请号： | 201821949562.0 | 申请日： | 2018-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN208970520U | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 张意浓 | 申请（专利权）人： | 厦门精伦电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L33/40;H01L33/42 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 第二导电层 第一导电层 导电性 本实用新型 高导电金属 电极 低电阻 基材 薄膜 金属化薄膜 薄膜结构 导电媒介 电极产生 电极接触 基材表面 接触电阻 侧面 粗糙度 | ||
【权利要求书】：
1.一种低电阻的高导电金属化薄膜，设于基材及电极之间，其特征在于，包括第一导电层及第二导电层，所述第一导电层设于所述基材的一侧面，所述第二导电层设于所述第一导电层另一侧表面，所述第二导电层另一侧面则与所述电极接触，用作所述第一导电层与所述电极之间的导电媒介。
2.根据权利要求1所述的一种低电阻的高导电金属化薄膜，其特征在于：所述第一导电层的厚度介于100nm～500nm。
3.根据权利要求2所述的一种低电阻的高导电金属化薄膜，其特征在于：所述第一导电层的厚度为300nm。
4.根据权利要求2-3任一所述的一种低电阻的高导电金属化薄膜，其特征在于：所述第一导电层为非结晶透明导电薄膜。
5.根据权利要求1所述的一种低电阻的高导电金属化薄膜，其特征在于：所述第二导电层的厚度介于25nm～150nm。
6.根据权利要求5所述的一种低电阻的高导电金属化薄膜，其特征在于：所述第二导电层的厚度为50nm。
7.根据权利要求5-6任一所述的一种低电阻的高导电金属化薄膜，其特征在于：所述第二导电层为结晶薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
