[实用新型]无创迷走神经磁刺激设备有效

专利信息
申请号: 201821950819.4 申请日: 2018-11-26
公开(公告)号: CN209645654U 公开(公告)日: 2019-11-19
发明(设计)人: 巫彤宁;邢晟魁;张晨;李从胜;杨蕾 申请(专利权)人: 中国信息通信研究院
主分类号: A61N2/04 分类号: A61N2/04
代理公司: 11127 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 王天尧;薛平<国际申请>=<国际公布>=
地址: 100191*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 储能电容 脉冲电流 充放电控制模块 迷走神经 线圈装置 刺激 实时生理信号 采集装置 充放电 无创 中心控制单元 本实用新型 磁刺激设备 时序 电磁场 磁刺激 有效地 预设 充电 采集 传递
【权利要求书】:

1.一种无创迷走神经磁刺激设备,其特征在于,包括:

刺激线圈装置,用于根据变化的脉冲电流产生变化的电磁场刺激迷走神经;所述脉冲电流的大小大于预设强度;

储能电容,与所述刺激线圈装置和高压电源模块连接,用于通过充放电将变化的脉冲电流传递至所述刺激线圈装置;

充放电控制模块,与所述储能电容连接,用于以所述脉冲电流不停地向所述储能电容充电,改变储能电容的充放电时序;

采集装置,用于采集受体的实时生理信号;

中心控制单元,与所述充放电控制模块和采集装置连接,用于根据所述实时生理信号对应的磁刺激参数,控制所述充放电控制模块工作;

所述无创迷走神经磁刺激设备还包括:高压电源模块,与所述中心控制单元和充放电控制模块连接,用于为所述中心控制单元和充放电控制模块供电;中心控制单元通过TPL0401A/B两个集成芯片输出0到5V的模拟量,从而控制高压电源模块输出的电压和电流值的大小;

所述储能电容的容量为150微法,储能电容两端的电压取值范围为1150至1350V。

2.如权利要求1所述的无创迷走神经磁刺激设备,其特征在于,还包括:存储单元,用于存储所述实时生理信号,以及实时生理信号对应的磁刺激参数。

3.如权利要求1所述的无创迷走神经磁刺激设备,其特征在于,还包括:显示装置,与所述中心控制单元和采集装置连接,用于显示所述实时生理信号,以及实时生理信号对应的磁刺激参数。

4.如权利要求1所述的无创迷走神经磁刺激设备,其特征在于,所述充放电控制模块包括:充电电路和放电电路;其中,充电电路包括:

充电输入端(P11),与高压电源模块的输出端连接,用于接收高压电源模块输出的电流电压;

限流电阻(R14),限流电阻(R14)的第一端与所述充电输入端连接,第二端与储能电容连接,用于将所述电流电压进行限流保护后提供给储能电容(C8),给储能电容(C8)充电;

所述放电电路包括:

第一晶闸管(DB2),第一晶闸管(DB2)的阴极与刺激线圈装置中的线圈(L1)连接,第一晶闸管(DB2)的阳极与储能电容(C8)连接,第一晶闸管(DB2)的控制极与控制板触发信号芯片(P9)连接;控制板为所述中心控制单元;

二极管(D4),二极管(D4)的阳极与第一晶闸管(DB2)的阴极、刺激线圈装置中的线圈(L1)连接,二极管(D4)的阴极与储能电容、第一晶闸管(DB2)的阳极连接。

5.如权利要求4所述的无创迷走神经磁刺激设备,其特征在于,所述充放电控制模块还包括:安全保护电路,该安全保护电路包括:

残电吸收电阻(R15),第一端与限流电阻(R14)的第二端、储能电容(C8)的第一端连接;

第二晶闸管(DB3),第二晶闸管(DB3)的阴极与储能电容(C8)连接,第二晶闸管(DB3)的阳极与残电吸收电阻(R15)的第二端连接,第二晶闸管(DB3)的控制极与控制板触发信号芯片(P10)连接;控制板为所述中心控制单元。

6.如权利要求1所述的无创迷走神经磁刺激设备,其特征在于,刺激线圈装置为刺激线圈手柄,其内部的刺激线圈与所述储能电容连接。

7.如权利要求1所述的无创迷走神经磁刺激设备,其特征在于,所述中心控制单元具体为单片机或PLC控制单元。

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