[实用新型]一种太阳能电池生产用去磷硅玻璃装置有效
申请号: | 201821952601.2 | 申请日: | 2018-11-26 |
公开(公告)号: | CN209071283U | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | 谭鑫;张海;朱蕾 | 申请(专利权)人: | 锦州华昌光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18 |
代理公司: | 沈阳鼎恒知识产权代理事务所(普通合伙) 21245 | 代理人: | 刘阳 |
地址: | 121000 辽宁省锦州*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 腐蚀池 太阳能电池生产 去磷硅玻璃 太阳能电池表面 本实用新型 降温装置 滴水管 烘干池 清洗池 烘干 池体 依次设置 出料带 输送辊 磷硅 去除 清洗 体内 | ||
本实用新型提供了一种太阳能电池生产用去磷硅玻璃装置,该太阳能电池生产用去磷硅玻璃装置包括:池体;所述池体内依次设置有腐蚀池、清洗池、以及烘干池;所述腐蚀池内位于所述输送辊的上方设置有滴水管;所述池体上位于所述出料带的上方设置有降温装置。本实用新型的有益效果是:通过设置的腐蚀池,可以达到去除太阳能电池表面磷硅的目的;通过设置的滴水管,可以在太阳能电池通过腐蚀池时达到保护太阳能电池N极的目的;通过设置的清洗池,可以达到对太阳能电池进行清洗的目的;通过设置的烘干池,可以达到烘干太阳能电池表面的水的目的;通过设置的降温装置,可以达到对烘干后的太阳能电池进行降温的目的。
技术领域
本实用新型涉及到太阳能电池技术领域,尤其涉及到一种太阳能电池生产用去磷硅玻璃装置。
背景技术
随着太阳能电池生产技术的不断提升,对于太阳能电池产品的质量以及成本提出了新的要求。太阳能电池生产必须去除磷硅玻璃,原因如下:由于阳能电池片生产制造过程中的扩散过程中,即使采用背靠背扩散,硅片的所有表面包括边缘都将不可避免地扩散上磷。P-N结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到P-N结的背面,而造成短路。
太阳能电池片生产制造过程中通常在磷扩散处理后进行去除磷硅玻璃处理,通过化学腐蚀法即把硅片放在氢氟酸溶液中浸泡,以去除扩散制结后在硅片表面形成的一层磷硅玻璃。现有技术中去除磷硅玻璃装置通常包括池体和进料带和出料带,进料带和出料带呈间隔均匀的水平设置在池体两端,通过在池体内设置带有凸环的输送辊输送硅片向前移动,然而由于氢氟酸具有极其的挥发 性,其在池体内容易产生酸雾,而传统装置中无法做到硅片N极与酸雾隔离,因此硅片在行进过程中,酸雾极容易破坏N极上的P-N结,现有输送辊的结构不够合理,其在转动时,硅片容易发生振动,而且容易将氢氟酸溅起而造成对N极的破坏,影响产品质量。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了克服现有技术的不足,提供了一种太阳能电池生产用去磷硅玻璃装置。
解决了现有技术中在对太阳能电池去除磷硅玻璃时容易破坏N极的问题。
本实用新型是通过以下技术方案实现:
本实用新型提供了一种太阳能电池生产用去磷硅玻璃装置,该太阳能电池生产用去磷硅玻璃装置包括:池体、设置在所述池体一端的进料带、设置在所述池体另一端的出料带;
所述池体内沿所述进料带至所述出料带的方向依次设置有腐蚀池、清洗池、以及烘干池;所述腐蚀池、所述清洗池、所述烘干池的上方分别设置有用于输送太阳能电池的输送辊,所述腐蚀池内位于所述输送辊的上方设置有滴水管,所述清洗池位于所述输送辊的上下两方分别设置有用于对太阳能电池进行冲洗的多对冲洗管,所述烘干池位于所述输送辊的上下两方分别设置有用于对太阳能电池进行烘干的多对烘干管,所述烘干池还设置有与所述烘干管通过第一输气管相连接的加热装置;
所述池体上位于所述出料带的上方设置有降温装置,所述降温装置包括出气喷头以及降温箱;所述降温箱通过第二输气管与所述出气喷头相连接,所述第二输气管上设置有第一气泵,所述降温箱内设置有冷凝泵以及与所述冷凝泵相连接的冷凝管。
优选的,所述腐蚀池内设置有搅拌装置,所述池体的一侧还设置有储水箱,所述储水箱通过第一输水管与所述滴水管相连接,所述第一输水管上设置有第一水泵。
优选的,所述清洗池通过第二输水管与所述冲洗管相连接,所述第二输水管上设置有第二水泵。
优选的,所述加热装置包括加热箱以及设置在所述加热箱内的加热板,所述第一输气管上设置有第二气泵。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造