[实用新型]一种半导体制造设备及用于该设备腔室的阀门有效

专利信息
申请号: 201821953224.4 申请日: 2018-11-21
公开(公告)号: CN209458401U 公开(公告)日: 2019-10-01
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: F16J15/10 分类号: F16J15/10;H01L21/00
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 余明伟
地址: 230601 安徽省合肥市合肥*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 密封圈 阀门 门体 半导体制造设备 设备腔室 开口部 本实用新型 密封圈结构 分解 安装工具 安装空间 待机状态 高温软化 工作极限 紧密配合 密封本体 全氟化 脆裂 腔室 软化 粘结 橡胶 硬化 脱离
【说明书】:

实用新型提供一种半导体制造设备及用于该设备腔室的阀门,阀门包括门体及设置在所述门体上的密封圈,门体的边缘具有凹槽,凹槽的底部宽度大于其开口部的宽度;密封圈设置在门体的凹槽中,密封圈为全氟化橡胶,密封圈的横截面具有使其与所述凹槽紧密配合的榫型结构。密封圈的密封本体的底部宽度大于门体凹槽的开口部宽度,密封圈会被箍在凹槽内,不易脱落。密封圈可以承受更高的工作极限温度,高温下不软化,不分解,低温下不硬化,不脆裂;使得半导体制造设备进入待机状态,再次开启阀门时,密封圈不会因高温软化、分解等粘结在腔室上与阀门脱离。上述密封圈结构简简单,体积较小,所需的安装空间较小,无需特殊的安装工具,使用相对方便。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域,具体涉及一种半导体制造设备及用于该设备腔室的阀门。

背景技术

众所周知,半导体制造中的许多处理工艺(例如干刻蚀工艺、灰化工艺、等离子体处理工艺等)都需要在高洁净度、高真空度下进行。为了满足工艺腔的真空度要求,需要在工艺腔门处或工艺腔门的阀门连接处使用密封圈将工艺腔维持在一定的真空度。另外,半导体制造过程中的许多工艺需在一定的温度(例如大于250℃)的环境下进行。

目前使用的密封圈主要是全氟醚橡胶,如FFKM和Kalrez。

现有密封圈的硬度小,变形率大,与阀门的密合度不佳,进而造成腔室的密封性差,容易产生气体或液体泄露等问题,从而会影响半导体器件的良品率。

现有密封圈耐热程度不高,变质后容易粘黏在腔室上,与阀门脱离。

另外,现有密封圈的抗拉强度小,容易发生龟裂或断裂。

实用新型内容

有鉴于此,本实用新型实施例提供了一种半导体制造设备及用于该设备腔室的阀门,以解决现有阀门及半导体制造设备所存在的上述问题。

根据本实用新型的一个实施例,本实用新型提供一种用于半导体制造设备的腔室的阀门,所述阀门包括门体及设置在所述门体上的密封圈,所述门体的边缘具有凹槽,所述凹槽的底部宽度大于其开口部的宽度;所述密封圈设置在所述门体的凹槽中,所述密封圈的横截面具有使其与所述凹槽紧密配合的榫型结构。

进一步地,所述密封圈包括密封本体及突出部,所述密封本体的横截面包括底部宽度大于上部宽度的梯形结构,所述突出部由所述密封本体的上部延伸形成,并且所述突出部的顶部为弧形。

进一步地,所述密封圈的密封本体的横截面的底部具有圆角。

进一步地,所述密封圈的密封本体的底部宽度L介于3-6mm,高度H1介于3-6mm,所述突出部的高度H2介于0.8-1.2mm,所述密封圈由密封本体的底部向突出部的顶部弧形延伸时向内缩进的距离ΔL介于0.4-0.6mm。

进一步地,所述密封圈由全氟化橡胶制成。

进一步地,所述密封圈的耐热温度介于280~320℃,硬度介于70~85HA,抗拉强度介于16~20MPa。

根据本实用新型的了另一实施例,本实用新型提供一种半导体制造设备,所述制造设备包括放置晶圆的狭缝型腔体,所述腔体具有对其进行密封的可开关的阀门,所述阀门包括门体及设置在所述门体上的密封圈,所述门体的边缘具有凹槽,所述凹槽的底部宽度大于其开口部的宽度;所述密封圈设置在所述门体的凹槽中,所述密封圈的横截面具有使其与所述凹槽紧密配合的榫型结构。

进一步地,所述密封圈包括密封本体及突出部,所述密封本体的横截面包括底部宽度大于上部宽度的梯形结构,所述突出部由所述密封本体的上部延伸形成,并且所述突出部的顶部为弧形。

进一步地,所述密封圈的密封本体的横截面的底部具有圆角。

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