[实用新型]一种具有抗辐射能力的抗辐照增强型空间电池外延片有效
申请号: | 201821954010.9 | 申请日: | 2018-11-26 |
公开(公告)号: | CN209029400U | 公开(公告)日: | 2019-06-25 |
发明(设计)人: | 万智;刘芬;林晓珊;徐培强;张银桥;汪洋;王向武 | 申请(专利权)人: | 南昌凯迅光电有限公司 |
主分类号: | H01L31/0687 | 分类号: | H01L31/0687;H01L31/041;H01L31/0352;H01L31/054;H01L21/683 |
代理公司: | 南昌大牛专利代理事务所(普通合伙) 36135 | 代理人: | 喻莎 |
地址: | 330000 江西省南昌市新*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 电池层 抗辐射 外延片 本实用新型 辐照增强 空间电池 上端 反射层 缓冲层 上表面 隧穿结 电池 光电转化效率 顶部设置 辐射通量 厚度增加 结构科学 聚光效率 空间质子 重复利用 剥离层 成核层 高能量 基区层 聚光层 阻隔层 质子 核层 剥离 损伤 停留 能源 | ||
1.一种具有抗辐射能力的抗辐照增强型空间电池外延片,包括衬底(1),其特征在于,所述衬底(1)的上端安装有成核层(2),所述成核层(2)的上端设置有缓冲层(3),所述缓冲层(3)的上表面安装有第一隧穿结层(4),所述第一隧穿结层(4)的顶部设置有反射层(5),所述反射层(5)的上表面固定有中电池层(6),所述中电池层(6)的上端设置有第二隧穿结层(7),所述第二隧穿结层(7)的上表面设置有顶电池层(8)。
2.根据权利要求1所述的一种具有抗辐射能力的抗辐照增强型空间电池外延片,其特征在于,所述衬底(1)的表面设置有衬底保护层(11),所述衬底保护层(11)的上表面设置有氧化剥离层(12),且衬底保护层(11)的厚度为0.2μm,所述氧化剥离层(12)的厚度为0.3μm。
3.根据权利要求1所述的一种具有抗辐射能力的抗辐照增强型空间电池外延片,其特征在于,所述成核层(2)的厚度为0.01μm,所述缓冲层(3)的厚度为0.5μm,所述第一隧穿结层(4)的厚度为0.01μm-0.03μm,所述反射层(5)的厚度为1.8μm,所述第二隧穿结层(7)的厚度为0.01μm-0.03μm。
4.根据权利要求1所述的一种具有抗辐射能力的抗辐照增强型空间电池外延片,其特征在于,所述中电池层(6)包括第一背场层(61),所述第一背场层(61)的顶部设置有第一基区层(62),所述第一基区层(62)的上表面设置有第一发射区层(63),所述第一发射区层(63)的顶部安装有第一窗口层(64),所述第一窗口层(64)的上端设置有阻隔层(65)。
5.根据权利要求4所述的一种具有抗辐射能力的抗辐照增强型空间电池外延片,其特征在于,所述第一背场层(61)的厚度为0.07μm,所述第一基区层(62)的厚度为2.1μm,所述第一发射区层(63)的厚度为0.1μm,所述第一窗口层(64)的厚度为0.1μm,所述阻隔层(65)是一种AlGaAs材质的构件,且阻隔层(65)的厚度为2μm。
6.根据权利要求1所述的一种具有抗辐射能力的抗辐照增强型空间电池外延片,其特征在于,所述顶电池层(8)包括第二背场层(81),所述第二背场层(81)的上表面设置有第二基区层(82),所述第二基区层(82)的顶部安装有第二发射区层(83),所述第二发射区层(83)的上端设置有第二窗口层(84),所述第二窗口层(84)的上表面安装有欧姆接触层(85),所述欧姆接触层(85)的上表面设置有聚光层(86),所述聚光层(86)的上端设置有防水层(87)。
7.根据权利要求6所述的一种具有抗辐射能力的抗辐照增强型空间电池外延片,其特征在于,所述第二背场层(81)的厚度为0.1μm,所述第二基区层(82)的厚度为0.7μm,所述第二发射区层(83)的厚度为0.1μm,所述第二窗口层(84)的厚度为0.1μm,所述欧姆接触层(85)的厚度为0.5μm,所述聚光层(86)是一种聚光膜材质的构件,且聚光层(86)的厚度为0.15μm,所述防水层(87)是一种防水透气膜材质的构件,且防水层(87)的厚度为0.1μm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的