[实用新型]一种可提高电池光电转化的复合背面场空间电池外延片

权利要求书

1.一种可提高电池光电转化的复合背面场空间电池外延片，包括衬底(1)、中电池(6)、顶电池(8)和欧姆接触层(10)，其特征在于，所述衬底(1)的上方依次沉积有成核层(2)、缓冲层(3)、第一隧穿结层(4)、反射层(5)、中电池(6)、第二隧穿结层(7)、顶电池(8)、聚光层(9)和欧姆接触层(10)，所述缓冲层(3)位于成核层(2)的上方，所述第一隧穿结层(4)位于缓冲层(3)的上方，所述反射层(5)位于第一隧穿结层(4)的上方，所述中电池(6)位于反射层(5)的上方，所述第二隧穿结层(7)位于中电池(6)的上方，所述顶电池(8)位于第二隧穿结层(7)的上方，所述聚光层(9)位于顶电池(8)的上方，所述欧姆接触层(10)位于聚光层(9)的上方。

2.根据权利要求1所述的一种可提高电池光电转化的复合背面场空间电池外延片，其特征在于，所述中电池(6)包括第一背面场层(61)、第一基区层(62)、第一量子阱层(63)、第一发射区层(64)和第一窗口层(65)，所述中电池(6)的内部设置有第一背面场层(61)，所述第一背面场层(61)的上方沉积有第一基区层(62)，所述第一基区层(62)的上方沉积有第一量子阱层(63)，所述第一量子阱层(63)的上方沉积有第一发射区层(64)，所述第一发射区层(64)的上方沉积有第一窗口层(65)。

3.根据权利要求1所述的一种可提高电池光电转化的复合背面场空间电池外延片，其特征在于，所述顶电池(8)包括第二背面场层(81)、第二基区层(82)、第二量子阱层(83)、第二发射区层(84)和第二窗口层(85)，所述顶电池(8)的内部设置有第二背面场层(81)，所述第二背面场层(81)的上方沉积有第二基区层(82)，所述第二基区层(82)的上方沉积有第二量子阱层(83)，所述第二量子阱层(83)的上方沉积有第二发射区层(84)，所述第二发射区层(84)的上方沉积有第二窗口层(85)。

4.根据权利要求1所述的一种可提高电池光电转化的复合背面场空间电池外延片，其特征在于，所述衬底(1)为p型Ge材料，掺杂Ga，掺杂浓度为0.2E18～3E18cm-3,厚度为130～150μm。

5.根据权利要求2所述的一种可提高电池光电转化的复合背面场空间电池外延片，其特征在于，所述第一量子阱层(63)的阱层材料为Ga0.94In0.06As，且第一量子阱层(63)的厚度为1μm。

6.根据权利要求3所述的一种可提高电池光电转化的复合背面场空间电池外延片，其特征在于，所述第二量子阱层(83)的阱层材料为Ga0.45In0.55P，且第二量子阱层(83)的厚度为0.45μm。