[实用新型]SiBCN基自封装结构无线无源压力传感器有效
| 申请号： | 201821957617.2 | 申请日： | 2018-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN209400123U | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 李燕;林惠川;林焌;余煜玺;伞海生 | 申请（专利权）人： | 闽南师范大学 |
| 主分类号： | G01L9/00 | 分类号： | G01L9/00;G01L19/06;G01L19/08 |
| 代理公司： | 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11638 | 代理人： | 李海燕 |
| 地址： | 363000 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 压力传感器 压力腔 封装结构 无线无源 键合 开槽 薄膜 天线 压力传感器芯片 本实用新型 金属谐振腔 聚硼硅氮烷 粘合剂 恶劣环境 高可靠性 高温高压 聚酰亚胺 丝印方式 信号传输 烧结 金属层 先驱体 丝印 酸碱 潮湿 制造 | ||
1.一种SiBCN基自封装结构无线无源压力传感器，包括压力传感器，其特征在于压力传感器设有正方形或矩形非晶态SiBCN陶瓷压力薄膜，在方形或者矩形非晶态SiBCN压力薄膜的内表面设有耐高温金属层，方形或者矩形非晶态SiBCN压力薄膜的内表面设有耦合激励天线与外界进行信号传输；压力传感器设有正方形或矩形非晶态SiBCN陶瓷体块，在正方形或矩形非晶态SiBCN陶瓷体块的内表面设有耐高温金属层；镀有金属层的SiBCN压力薄膜和SiBCN体材料通过先驱体聚硼硅氮烷作为粘合剂经过多次烧结后达到键合目的形成压力腔。
2.如权利要求1所述SiBCN基自封装结构无线无源压力传感器，其特征在于所述正方形或矩形非晶态SiBCN陶瓷压力薄膜长宽为5-20mm，厚度为0.3-1mm。
3.如权利要求1所述SiBCN基自封装结构无线无源压力传感器，其特征在于所述耐高温金属层是指熔点超过1000℃的金属层；所述耐高温金属层的厚度为25-60μm。
4.如权利要求1所述SiBCN基自封装结构无线无源压力传感器，其特征在于所述方形或者矩形非晶态SiBCN压力薄膜的内表面耦合激励天线长宽为0.6mm-12mm，共面波导传输线工作频段为4-15GHz。
5.如权利要求1所述SiBCN基自封装结构无线无源压力传感器，其特征在于所述方形或者矩形非晶态SiBCN体材料长宽为5-20mm，厚度为3-10mm。
6.如权利要求1所述SiBCN基自封装结构无线无源压力传感器，其特征在于所述方形或者矩形非晶态SiBCN体材料与正方形或矩形非晶态SiBCN陶瓷压力薄膜通过先驱体聚硼硅氮烷作为粘合剂经过多次低温烧结完成键合。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于闽南师范大学，未经闽南师范大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821957617.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
