[实用新型]可控硅驱动电路

权利要求书

1.一种可控硅驱动电路，其特征在于，包括MCU芯片U1、过零信号电路、可控硅触发电路，所述可控硅驱动电路用于驱动发热元件Heater，其中：

所述过零信号电路的强电侧电路结构包括电阻R45、电阻R46、整流二极管D1、低压隔离光耦B1，所述电阻R46的一端通过整流二极管D1接于电阻R45的一端，所述电阻R45的另一端接于市电的N线，所述电阻R46的另一端接于低压隔离光耦B1的第1端，所述低压隔离光耦B1与市电的L线之间接入电荷保持电路；

所述可控硅触发电路包括可控硅TRI1、电阻R14、限流电阻R4、低压隔离光耦B2和电阻R48，所述可控硅TRI1的T2端接于发热元件Heater，所述可控硅TRI1的T1端接于电荷保持电路，所述可控硅TRI1的T1端同时通过电阻R14接于可控硅TRI1的G端，所述可控硅TRI1的G端通过限流电阻R4接于低压隔离光耦B2的第1端，所述低压隔离光耦B2的第3端通过电阻R48接于MCU芯片U1的控制端口。

2.根据权利要求1所述的可控硅驱动电路，其特征在于，所述电荷保持电路由稳压二极管D6和电容C2并联组成。

3.根据权利要求2所述的可控硅驱动电路，其特征在于，上述电荷保持电路向可控硅触发电路提供的电荷以有且仅有在1个至10个交流周期以内触发可控硅TRI1为限。

4.根据权利要求2所述的可控硅驱动电路，其特征在于，所述稳压二极管D6两端的稳压阈值为12V。

5.根据权利要求1所述的可控硅驱动电路，其特征在于，所述整流二极管D1和低压隔离光耦B1构成上述电荷保持电路的充电电路。

6.根据权利要求1所述的可控硅驱动电路，其特征在于，当在L、N两端施加交流电压时，在交流电压的正半周，交流电压超过电容C2两端电压Uc2与低压隔离光耦B1正向触发电压Vf之和时，在弱电侧有滞后过零点的过零信号出现，滞后时间Δt为：

7.根据权利要求2所述的可控硅驱动电路，其特征在于，上述电荷保持电路储存的最大电荷量Q为：

其中，U为交流电源的电压有效值。

8.根据权利要求1所述的可控硅驱动电路，其特征在于，所述过零信号电路的弱电侧电路结构包括电阻R3、电阻R5和三极管Q3，所述电阻R3的一端接于低压隔离光耦B1的第2端，所述电阻R3的另一端接于三极管Q3的基极，所述三极管Q3的集电极同时接于MCU芯片U1的11脚和电阻R5的一端，所述电阻R5的另一端接地。