[实用新型]一种透射型太赫兹波编码器及2比特编码系统

权利要求书

1.一种透射型太赫兹波编码器，包括蓝宝石衬底(1)和在蓝宝石衬底(1)顶面的二维阵列(2)，所述蓝宝石衬底(1)顶面的中心与所述二维阵列(2)的中心重合；其特征在于：

所述二维阵列(2)由周期排列的N×M个长方形单元结构组成，N为≥60的整数,M为≥43的整数；所述每个单元结构包括第一子结构和第二子结构，所述第一子结构由一个“口”形硅结构(22)和一个下边中心位置为开口槽的“口”形金属结构(21)组成，硅结构的“口”形与金属结构的“口”形相同；第二子结构由一个“凵”形硅结构(24)和一个相同的“凵”形金属结构(23)组成，硅结构的“凵”形与金属结构的“凵”形相同，所述“凵”形金属结构(23)的两竖的底端与下方一横的两端之间有间隙；所述第一子结构的“口”形硅结构(22)的最大宽度小于第二子结构“凵”形硅结构(24)两竖的间距；所述两个子结构的硅结构位于蓝宝石衬底(1)顶面，各自的金属结构覆盖于其硅结构顶面，硅结构与其金属结构的中心线重合、底边重合；所述第一子结构的“口”形硅结构(22)的下边与第二子结构的“凵”形硅结构(24)底边的间距为10～60微米；二维阵列(2)的同一列中各单元结构的第一子结构与第二子结构的纵向中分线重合；二维阵列(2)的同一行中各单元结构的第一子结构的“口”形硅结构(22)的下边成一直线，各单元结构的第二子结构的“凵”形硅结构(24)的下边成一直线。

2.根据权利要求1所述的透射型太赫兹波编码器，其特征在于：

所述第一、第二子结构的金属结构为金层、银层、铜层和铝层中的任一种，厚度相同，为0.05～0.5微米。

3.根据权利要求2所述的透射型太赫兹波编码器，其特征在于：

所述第一、第二子结构的金属结构和硅结构的线宽相等，为2～6微米。

4.根据权利要求1所述的透射型太赫兹波编码器，其特征在于：

所述第一子结构的“口”形硅结构水平宽度为15～90微米，竖直高度为25～125微米；所述第一子结构“口”形金属结构下边开口槽的宽度为2～6微米；

所述第二子结构的“凵”形硅结构(24)水平宽度为30～150微米，竖直部分的高度为30～180微米；所述第二子结构的“凵”形金属结构(23)两竖的底端与“凵”形硅结构(24)底边的距离为线宽+(0.5～1.5)微米，“凵”形金属结构(23)底边一横的两端与“凵”形硅结构(22)的外侧边的距离为线宽+(0.5～1.5)微米。

5.根据权利要求4所述的透射型太赫兹波编码器，其特征在于：

所述第二子结构的“凵”形硅结构(24)的水平宽度与所述第一子结构的“口”形硅结构(22)水平宽度的差为15～60微米。

6.根据权利要求1所述的透射型太赫兹波编码器，其特征在于：

所述第二子结构的“凵”形硅结构(24)水平底边与该单元结构底边的间距为5～20微米；“凵”形硅结构(24)二竖边与该单元结构侧边的间距为2.5～10微米；所述第一子结构的“口”形硅结构(22)水平上边与该单元结构侧边的间距为4～19微米；第一、第二子结构的纵向中心线与其单元结构的纵向中心线重合。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的透射型太赫兹波编码器，其特征在于：

所述第一、第二子结构的硅结构厚度相同，为0.5～5微米；

所述蓝宝石衬底(1)厚度为100～1000微米。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的透射型太赫兹波编码器，其特征在于：

所述蓝宝石衬底(1)顶面的长和宽分别大于所述二维阵列(2)的长和宽，所述二维阵列(2)的边缘与所述蓝宝石衬底(1)顶面边缘的距离大于100微米。