[实用新型]砷化镓电池外延结构有效
| 申请号： | 201821965920.7 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN208904030U | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 罗轶 | 申请（专利权）人： | 东泰高科装备科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0304 | 分类号： | H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;罗瑞芝 |
| 地址： | 102200 北京市昌平*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 湿法腐蚀 牺牲层 砷化镓电池 外延结构 腐蚀 衬底 孔洞 量子点层 电池层 腐蚀液 量子点 砷化物 叠层 膜层 本实用新型 三明治结构 面积增大 砷化铝层 中间夹层 剥离衬 叠置 剥离 | ||
1.一种砷化镓电池外延结构，其特征在于，包括衬底和设置在所述衬底上的牺牲层和电池层，所述牺牲层和所述电池层沿远离所述衬底的方向依次叠置；其中，所述牺牲层包括叠层单元，所述叠层单元包括能被湿法腐蚀液腐蚀的膜层和夹设在所述膜层中的不能被所述湿法腐蚀液腐蚀的量子点层。
2.根据权利要求1所述的砷化镓电池外延结构，其特征在于，能被所述湿法腐蚀液腐蚀的所述膜层为第一砷化铝层和第二砷化铝层，不能被所述湿法腐蚀液腐蚀的量子点层为砷化物量子点层，沿远离所述衬底的方向，所述第一砷化铝层、所述砷化物量子点层和所述第二砷化铝层依次叠置。
3.根据权利要求2所述的砷化镓电池外延结构，其特征在于，所述砷化物量子点层采用砷化铟量子点材料。
4.根据权利要求2所述的砷化镓电池外延结构，其特征在于，所述砷化物量子点层的厚度范围为2～5分子单层。
5.根据权利要求2所述的砷化镓电池外延结构，其特征在于，所述第一砷化铝层的厚度范围为2～10nm。
6.根据权利要求2所述的砷化镓电池外延结构，其特征在于，所述第二砷化铝层的厚度范围为2～10nm。
7.根据权利要求1所述的砷化镓电池外延结构，其特征在于，所述叠层单元的数量为多个，沿远离所述衬底的方向，所述叠层单元依次叠置。
8.根据权利要求7所述的砷化镓电池外延结构，其特征在于，所述叠层单元的数量范围为2～10个。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
