[实用新型]一种温度传感器有效
| 申请号： | 201821965998.9 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN209559360U | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 余占清;王晓蕊;牟亚;曾嵘;庄池杰 | 申请（专利权）人： | 广东电网有限责任公司惠州供电局;清华大学 |
| 主分类号： | G01K7/24 | 分类号： | G01K7/24 |
| 代理公司： | 北京知联天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11594 | 代理人： | 张陆军;张迎新 |
| 地址： | 516000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 温度传感器 压敏电阻 顶层硅 硅微桥 电阻 热膨胀 离子注入工艺 本实用新型 传感器结构 双层膜结构 金属铝层 可动结构 数值关系 衬底硅 灵敏度 传感器 溅射 下层 电路 悬空 测量 上层 检测 制作 | ||
【权利要求书】：
1.一种温度传感器，所述传感器采用硅微桥双层膜结构，且制作在SOI器件上，其特征在于，
下层为SOI器件的顶层硅，所述顶层硅上通过离子注入工艺形成压敏电阻；
上层为通过溅射工艺形成的金属铝层；
所述硅微桥下方悬空，且不与所述SOI器件的衬底硅相连接。
2.根据权利要求1所述的温度传感器，其特征在于，所述金属铝层与顶层硅的两端均固定。
3.根据权利要求1所述的温度传感器，其特征在于，所述压敏电阻在所述硅微桥上的宽度范围为10～20μm。
4.根据权利要求3所述的温度传感器，其特征在于，所述硅微桥为可动结构，且所述硅微桥的长度为500μm，宽度为50μm，金属铝层厚度为1.5μm，顶层硅厚度为8μm。
5.根据权利要求1-4任一所述的温度传感器，其特征在于，所述传感器还包括三个定值电阻，其中，
所述三个定值电阻位于所述SOI器件上，且下方不悬空。
6.根据权利要求5所述的温度传感器，其特征在于，所述三个定值电阻与所述压敏电阻通过电引线连接构成惠斯通桥。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东电网有限责任公司惠州供电局;清华大学，未经广东电网有限责任公司惠州供电局;清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821965998.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：温度传感器
- 下一篇：用于半桥电路的测温装置和具有其的电磁炉
