[实用新型]一种基于硅微桥压阻式MEMS温度传感器的温度检测系统有效

专利信息
申请号: 201821966031.2 申请日: 2018-11-27
公开(公告)号: CN209541940U 公开(公告)日: 2019-10-25
发明(设计)人: 余占清;王晓蕊;牟亚;曾嵘;庄池杰 申请(专利权)人: 广东电网有限责任公司惠州供电局;清华大学
主分类号: G01K7/20 分类号: G01K7/20;G01K7/22
代理公司: 北京知联天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11594 代理人: 张陆军;张迎新
地址: 516000 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 温度测量数据 温度检测系统 温度传感器 传感模块 数据模块 硅微桥 压阻式 通信模块 展示模块 本实用新型 计算模块 温度测量 温度数据 无线传输 测量 传输
【权利要求书】:

1.一种基于硅微桥压阻式MEMS温度传感器的温度检测系统,其特征在于,所述系统包括传感模块、通信模块、数据模块、以及展示模块;其中,

所述传感模块包括硅微桥压阻式MEMS温度传感器以及与其连接的边缘计算模块,用于实现温度测量;

所述通信模块,用于将所述传感模块的温度测量数据无线传输至所述数据模块;

所述数据模块,用于接收温度测量数据;

所述展示模块,用于所述温度测量数据的显示与处理。

2.根据权利要求1所述的温度检测系统,其特征在于,所述硅微桥压阻式MEMS温度传感器采用硅微桥双层膜结构,并制作在SOI器件上,且上层为金属铝层,下层为SOI器件的顶层硅;其中,

在所述顶层硅上通过离子注入工艺形成预设阻值的压敏电阻,且在所述顶层硅上溅射金属铝;

所述硅微桥双层膜结构下方悬空,且不与所述SOI器件的衬底硅相连接。

3.根据权利要求2所述的温度检测系统,其特征在于,所述硅微桥压阻式MEMS温度传感器还包括三个定值电阻,其中,

所述三个定值电阻位于SOI器件层上,且所述定值电阻下方不悬空,并通过电引线与所述压敏电阻形成惠斯通桥。

4.根据权利要求3所述的温度检测系统,其特征在于,所述边缘计算模块,用于基于所述压敏电阻阻值、所述三个定值电阻阻值、检测电路电流、所述金属铝层与顶层硅的厚度、热膨胀系数、弹性模量、以及由于温度变化,所述顶层硅纵向和横向产生的压阻系数与应力,计算所述惠斯通桥的输出电压。

5.根据权利要求4所述的温度检测系统,其特征在于,所述边缘计算模块还用于基于所述惠斯通桥的输出电压,获取温度测量数据。

6.根据权利要求1所述的温度检测系统,其特征在于,所述通信模块包括局部通信模块和/或广域通信模块,其中,

所述局部通信模块与广域通信模块均与所述边缘计算模块相连接,用于温度测量数据的无线传输。

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