[实用新型]一种改进型平面MOS器件

权利要求书

1.一种改进型平面MOS器件，其特征在于，由若干个相邻的单胞并列组成，每一个单胞从下至上依次包括N⁺单晶硅衬底(1)、N^-外延层(2)、中间层(13)和源区金属层(11)；每一个单胞的N^-外延层(2)内部的顶部设置有第一P型阱区(5)和第二P型阱区(6)，同一单胞内第一P型阱区(5)与第二P型阱区(6)之间为N^-外延层(2)；每一个第一P型阱区(5)与相邻单胞的第二P型阱区(6)区域交叉形成交叉P型阱区(14)；所述中间层(13)包括交错布置且相互接触的接触金属区(10)和绝缘介质氧化区(8)。

2.根据权利要求1所述的一种改进型平面MOS器件，其特征在于，所述N⁺单晶硅衬底(1)的下表面固定设置有背面漏区金属层(12)。

3.根据权利要求1所述的一种改进型平面MOS器件，其特征在于，每一个第一P型阱区(5)和第二P型阱区(6)内均设置有一个N⁺源极区(7)，且每一个N⁺源极区(7)在交叉P型阱区(14)外。

4.根据权利要求3所述的一种改进型平面MOS器件，其特征在于，N⁺源极区(7)的顶部均与接触金属区(10)的底部和绝缘介质氧化区(8)的底部接触。

5.根据权利要求1所述的一种改进型平面MOS器件，其特征在于，绝缘介质氧化区(8)内设置有栅氧化层(3)，栅氧化层(3)的底部和N^-外延层(2)、第一P型阱区(5)及第二P型阱区(6)的顶部均接触，栅氧化层(3)的四周被绝缘介质氧化区(8)包裹。

6.根据权利要求5所述的一种改进型平面MOS器件，其特征在于，栅氧化层(3)的顶部设置有多晶硅层(4)；多晶硅层(4)的四周和顶部被绝缘介质氧化区(8)包裹。

7.根据权利要求1-6任意一项所述的一种改进型平面MOS器件，其特征在于，所述接触金属区(10)内填充的金属由钛粘结层、氮化钛阻挡层和钨金属层构成。