[实用新型]一种绝缘栅型MOS管

说明书

本实用新型公开了一种绝缘栅型MOS管，包括管体，所述管体内腔的底部固定连接有导入层，所述导入层的顶部固定连接有衬底，所述衬底的顶部固定连接有外延层，所述外延层的顶部固定连接有传递层，所述外延层的内腔开设有导电沟道，所述导电沟道的顶部依次贯穿外延层和传递层并延伸至传递层的顶部。本实用新型通过导入层的设置，能够方便电流的导入，也方便其他硅体的导入，通过管体、导入层、衬底、外延层、传递层和导电沟道的配合使用，能够大大改善本MOS管的导电和绝缘情况，大大提高使用效率和导电效率，使击穿电压不会过高，且能够进行两端对调，方便人们的使用，且本MOS管的体积更小更省电，能够节约成本。

技术领域

本实用新型涉及电子设备技术领域，具体为一种绝缘栅型MOS管。

背景技术

MOS管是金属-氧化物-半导体场效应晶体管，或者称是金属-绝缘体-半导体，MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区，而现有的绝缘栅型场效应管在用于静电保护时，其触发电压不会低于外延层与阱区的击穿电压，因此造成其击穿电压较高，而且鉴于工艺本身的条件限制，很难作出调整。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种绝缘栅型MOS管，具备能够大大改善本MOS管的导电和绝缘情况，大大提高使用效率和导电效率，使击穿电压不会过高，且能够进行两端对调，方便人们的使用，且本MOS管的体积更小更省电，能够节约成本的优点，解决了现有的绝缘栅型场效应管在用于静电保护时，其触发电压不会低于外延层与阱区的击穿电压，因此造成其击穿电压较高，而且鉴于工艺本身的条件限制，很难作出调整的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种绝缘栅型MOS管，包括管体，所述管体内腔的底部固定连接有导入层，所述导入层的顶部固定连接有衬底，所述衬底的顶部固定连接有外延层，所述外延层的顶部固定连接有传递层，所述外延层的内腔开设有导电沟道，所述导电沟道的顶部依次贯穿外延层和传递层并延伸至传递层的顶部。

优选的，所述导电沟道的顶部固定连接有金属板，所述金属板的表面固定连接有导电层。

优选的，所述管体的两侧均开设有接触孔，所述接触孔与外接线体相适配。

优选的，所述管体内腔的左侧固定连接有金属极，所述管体内腔的右侧固定连接有半导体，所述金属极和半导体的顶部均延伸至管体的外部，所述金属极和半导体之间固定连接有栅介质，所述栅介质包括外在硅，所述外在硅的底部固定连接有二氧化硅层。

优选的，所述管体的底部固定连接有底座阀门，所述底座阀门的底部固定连接有接地端，所述管体的左侧固定连接有源极，所述管体的右侧固定连接有漏极。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果如下：

1、本实用新型通过管体、导入层、衬底、外延层、传递层和导电沟道的配合使用，能够大大改善本MOS管的导电和绝缘情况，大大提高使用效率和导电效率，使击穿电压不会过高，且能够进行两端对调，方便人们的使用，且本MOS管的体积更小更省电，能够节约成本。

2、本实用新型通过导入层的设置，能够方便电流的导入，也方便其他硅体的导入，通过衬底的设置，能够对电子进行拉动，通过栅介质的设置，能够将两个电极进行隔开，防止运行出现问题。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图；

图2为本实用新型主视结构示意图；

图3为本实用新型栅介质内部结构示意图。

图中：1管体、2导入层、3衬底、4外延层、5传递层、6导电沟道、7金属板、8接触孔、9金属极、10半导体、11栅介质、12外在硅、13二氧化硅层、14底座阀门、15接地端、16源极、17漏极。

具体实施方式