[实用新型]一种I/O PAD ESD的静电防护结构有效
申请号: | 201821976826.1 | 申请日: | 2018-11-28 |
公开(公告)号: | CN209119094U | 公开(公告)日: | 2019-07-16 |
发明(设计)人: | 夏陈义;魏海强;魏广 | 申请(专利权)人: | 深圳市中讯恒达科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/60 | 分类号: | H01L23/60;H01L23/14 |
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地址: | 518000 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 元器件 栅格板 底板 绝缘介质 引脚 带电粒子 静电防护结构 外壳体 电子元件技术 本实用新型 静电产生 静电粒子 左右两侧 短路 击穿 吸附 绝缘 填充 阻隔 排斥 | ||
1.一种I/O PAD ESD的静电防护结构,包括电子元件(1)、元器件底板(2)和分布于所述电子元件(1)两侧的引脚(3),所述电子元件(1)的底部固定安装有所述元器件底板(2),所述引脚(3)数量为多个,且均固定在所述电子元件(1)的左右两侧,其特征在于:所述电子元件(1)的外部设有元器件外壳体(101),所述元器件外壳体(101)为开放式长方体,且其开放端与所述元器件底板(2)相贴合,所述元器件外壳体(101)的内部嵌设有金属屏蔽层(11),所述金属屏蔽层(11)与所述元器件外壳体(101)固定连接,所述元器件外壳体(101)的内部还具有器件体(12),所述器件体(12)与所述元器件底板(2)固定连接,所述器件体(12)通过引脚(3)与外部电源电性连接。
2.根据权利要求1所述的一种I/O PAD ESD的静电防护结构,其特征在于:所述电子元件(1)的顶部外侧壁上还设有屏蔽层(102),所述屏蔽层(102)与所述电子元件(1)固定连接。
3.根据权利要求2所述的一种I/O PAD ESD的静电防护结构,其特征在于:所述屏蔽层(102)为聚四氟乙烯材料制成。
4.根据权利要求1所述的一种I/O PAD ESD的静电防护结构,其特征在于:所述金属屏蔽层(11)为金属丝网编织而成的网,且其网孔密度为一百目。
5.根据权利要求1所述的一种I/O PAD ESD的静电防护结构,其特征在于:所述元器件底板(2)的内部设有栅格板(21)和绝缘介质(22),所述栅格板(21)数量为多个,且均匀分布在所述元器件底板(2)的内部,相邻两个所述栅格板(21)之间填充有所述绝缘介质(22)。
6.根据权利要求5所述的一种I/O PAD ESD的静电防护结构,其特征在于:所述绝缘介质(22)为绝缘胶水凝固而成。
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