[实用新型]一种黑硅电池高CTM光伏组件有效
申请号: | 201821978377.4 | 申请日: | 2018-11-28 |
公开(公告)号: | CN209071353U | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | 郭敏;宋令枝;马建峰;丁振华;李景龙;冯婧婧;袁志林;郑乐;程俊雨;葛祖荣 | 申请(专利权)人: | 浙江昱辉阳光能源江苏有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 任立 |
地址: | 214203 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 黑硅 电池片 层压件 光伏组件 铝边框 本实用新型 金属橡胶 提高组件 电池 主栅线 多晶 钢化玻璃 太阳能电池技术 光电转换效率 矩阵排列 热熔胶膜 提升组件 填充因子 依次设置 转换效率 熔胶膜 受光面 背板 焊带 内陷 透热 吸光 封装 截止 侧面 | ||
本实用新型涉及一种黑硅电池高CTM光伏组件,属于太阳能电池技术领域。该黑硅电池高CTM光伏组件,包括层压件和铝边框,铝边框封装在层压件的四周,层压件包括从受光面向下依次设置的钢化玻璃、高透热熔胶膜、黑硅电池片、UV截止热熔胶膜、背板和第一金属橡胶层,黑硅电池片为包括若干呈矩阵排列的五主栅线多晶黑硅电池片,多晶黑硅电池片的主栅线之间设有连接的焊带,层压件的侧面和铝边框之间设置有第二金属橡胶层。本实用新型利用黑硅电池片的内陷光吸光技术能提高组件的转换效率1%以上,从而提升组件填充因子,最终达到提高组件光电转换效率的效果。
技术领域
本实用新型涉及一种黑硅电池高CTM光伏组件,属于太阳能电池技术领域。
背景技术
太阳能作为绿色清洁能源,且取之不尽用之不竭,已经在能源领域取得广泛应用,是最具发展潜力的、也是替代传统化石能源的最佳能源之一。随着太阳能光伏产品的广泛应用,人们对光伏组件的产品性能也是越来越重视,经过广泛的研究发现,提高组件CTM以及提高组件并联电阻对组件的功率提升有非常重要的作用。
目前利用太阳能的主流技术为晶硅太阳电池的光伏发电技术。目前,多晶硅占光伏产业产能超过了80%,就目前产线而言,各道工艺已相当成熟,效率方面很难有提升,为了制备高效多晶电池,从绒面结构的调整出发,制备黑硅,能有效提高光利用率。黑硅是最新研究发现的一种能大幅提高光电转换效率的新型电子材料,黑硅材料电池能够捕捉几乎全部日光。它就像一块吸收光的海绵,可见光和红外线都能吸收。这种材料能够提高光的使用效率,产生的电流是传统硅材料的几百倍。所以,黑硅电池在光伏组件端应用潜力是巨大的,既能使产品CTM提升,又能降低成本。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是,针对现有技术不足,提出一种能够提高组件光电转换效率的黑硅电池高CTM光伏组件。
本实用新型为解决上述技术问题提出的技术方案是:一种黑硅电池高CTM光伏组件,包括层压件和铝边框,铝边框封装在层压件的四周,层压件包括从受光面向下依次设置的钢化玻璃、高透热熔胶膜、黑硅电池片、UV截止热熔胶膜、背板和第一金属橡胶层,黑硅电池片为包括若干呈矩阵排列的五主栅线多晶黑硅电池片,多晶黑硅电池片的主栅线之间设有连接的焊带,层压件的侧面和铝边框之间设置有第二金属橡胶层。
上述技术方案的改进是:背板底部设有接线盒。
上述技术方案的改进是:层压件的底部与铝边框的连接处设有密封层。
上述技术方案的改进是:铝边框包括夹持槽和底部支撑,夹持槽为矩形且位于铝边框的内侧面,夹持槽设有矩形开口,底部支撑为“L”型且与夹持槽的底部固接。
上述技术方案的改进是:底部支撑与夹持槽之间固接有第一支撑板。
上述技术方案的改进是:底部支撑的直角处设置有第二支撑板。
本实用新型采用上述技术方案的有益效果是:
(1)本实用新型中第一金属橡胶层和第二金属橡胶层能够有效减少在搬运和安装的过程中电池片底部和侧面产生的震动,起到了减震效果,防止电池片的破裂损坏影响光伏组件的正常工作;其中金属橡胶层的金属橡胶是一种均质的弹性多孔物质,是用一定的工艺方法,将一定质量的、拉伸开的、螺旋状态的金属丝有序地排放在冲压(或碾压)模具中,然后用冷冲压方法而成型的;它的原材料是金属丝,既具有所选金属固有的特性,又具有像橡胶一样的弹性,能够起到优良的减震效果并且耐高低温(-80℃--1000℃)、耐盐雾、霉菌、潮湿、臭氧、油脂、真空、日照、核辐射、尘埃和各种有机溶剂腐蚀,使用寿命长;
(2)本实用新型中电池片为黑硅电池,利用黑硅电池片的内陷光吸光技术,可以在更宽的入射角内获得近0的反射效果,在更宽的波长范围(300~2000nm)获得更好的内陷光效果,最终组件输出功率2%左右,所以,黑硅电池片技术的应用能提高组件的转换效率1%以上,从而提升组件填充因子,最终达到提高组件光电转换效率的效果;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的