[实用新型]过压保护电路有效
| 申请号： | 201821980544.9 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN208923811U | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 段永进 | 申请（专利权）人： | 深圳市欧圳科技有限公司 |
| 主分类号： | H02H3/20 | 分类号： | H02H3/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区西乡*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电阻 过压保护电路 本实用新型 电容 导通 三端可调分流基准源 电流通道 两端电压 输入电压 触发 钳位 相等 电源 | ||
1.一种过压保护电路，其特征在于，包括：NMOS管Q1、PMOS管Q2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6和三端可调分流基准源U1；
所述三端可调分流基准源U1的R极连接所述电阻R1的一端与所述R2的一端，所述三端可调分流基准源U1的K极连接所述电阻R3的一端与所述电阻R4的一端，所述三端可调分流基准源U1的A极接地；
所述电阻R1另一端、电阻R3另一端合接到电源输入端VIN上；
所述电阻R4的另一端连接所述NMOS管Q1的G极与所述R5的一端，所述NMOS管Q1的D极连接所述电阻R6的一端与PMOS管Q2的G极，所述述NMOS管Q1的S极接地；
所述PMOS管Q2的S极连接所述电阻R6的另一端与电源输入端VIN，所述PMOS管Q2的D极连接电源输出端VOUT；
所述电阻R6的另一端连接电源输入端VIN；
所述电阻R2另一端以及所述电阻R5另一端接地。
2.如权利要求1所述的过压保护电路，其特征在于，还包括电容C1以及电容C2；
所述电容C1的一端连接电源输入端VIN，所述电容C2的一端连接电源输出端VOUT；
所述电容C1另一端、所述电容C2另一端、所述电阻R2另一端以及所述电阻R5另一端接地。
3.如权利要求1所述的过压保护电路，其特征在于，所述PMOS管Q1为绝缘栅型增强型N沟通场效应管。
4.如权利要求1所述的过压保护电路，其特征在于，所述PMOS管Q2为绝缘栅型增强型P沟通场效应管。
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