[实用新型]一种用于砷化镓晶片无蜡抛光工艺中的无蜡垫冲压装置

说明书

本实用新型公开了一种用于砷化镓晶片无蜡抛光工艺中的无蜡垫冲压装置，包括底座，所述底座横向中轴线上设有滑槽，所述滑槽的底部的中轴线上设有螺母槽，所述滑槽内设有滑动装置，所述滑槽上设有冲压模盒，所述底座的右侧四个拐角处设有矩阵分布的支撑杆，四个所述支撑杆的顶端设有支撑板，所述支撑板的中心处卡固有气缸，所述支撑板上设有四个贯穿支撑板且呈矩阵分布的滑孔，每个所述滑孔内均设有滑杆，所述滑杆的底部设有下模板，所述滑杆的顶部设有上模板，所述下模板的中心处顶端与气缸的输出端固定连接，所述下模板的的底部的中心处设有冲压模，所述冲压模设在滑槽的正上方，所述上模板设有通过孔，提高了效率，保护了工作人员的安全。

技术领域

本实用新型涉及机械壳体类零件冲压技术领域，具体为一种用于砷化镓晶片无蜡抛光工艺中的无蜡垫冲压装置。

背景技术

冲压设备就是所谓的压力机。学名：冲压机、油压机、液压机。是压制容器的大型特种设备。

砷化镓(gallium arsenide)，化学式GaAs。黑灰色固体，熔点 1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀，砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，熔点1237℃，禁带宽度1.4 电子伏。砷化镓于1964年进入实用阶段。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。此外，还可以用于制作转移器件──体效应器件。砷化镓是半导体材料中，兼具多方面优点的材料,但用它制作的晶体三极管的放大倍数小，导热性差，不适宜制作大功率器件。虽然砷化镓具有优越的性能，但由于它在高温下分解，故要生产理想化学配比的高纯的单晶材料，技术上要求比较高。

现有技术中的冲压设备取出冲压好的砷化镓晶片不方便，需要手伸进机器去取出，这样非常危险，而且生产效率低,工作人员也不安全。

实用新型内容

为了解决现有技术中的冲压设备取出冲压好的砷化镓晶片不方便的问题，本实用新型的目的在于提供一种用于砷化镓晶片无蜡抛光工艺中的无蜡垫冲压装置，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种用于砷化镓晶片无蜡抛光工艺中的无蜡垫冲压装置，包括底座，所述底座横向中轴线上设有滑槽，所述滑槽的底部的中轴线上设有螺母槽，所述滑槽内设有滑动装置，所述滑槽上设有冲压模盒，所述底座的右侧四个拐角处设有矩阵分布的支撑杆，四个所述支撑杆的顶端设有支撑板，所述支撑板的中心处卡固有气缸，所述支撑板上设有四个贯穿支撑板且呈矩阵分布的滑孔，每个所述滑孔内均设有滑杆，所述滑杆的底部设有下模板，所述滑杆的顶部设有上模板，所述下模板的中心处顶端与气缸的输出端固定连接，所述下模板的的底部的中心处设有冲压模，所述冲压模设在滑槽的正上方，所述上模板设有通过孔。所述滑动装置包括丝杆电机、丝杆和丝杆螺母，所述丝杆电机设在滑槽的右侧，所述丝杆设在丝杆电机的输出端，所述螺母槽的两端设有轴承座，所述丝杆的两端固定在轴承座上，且丝杆横向贯穿整个螺母槽，所述丝杆上套设有丝杆螺母，所述丝杆螺母设有两个，所述冲压模盒设在丝杆螺母的顶端。所述电机与底座之间通过螺栓相连接。所述支撑杆的底部与底座固定连接，所述支撑杆的顶端设有第一螺纹柱，所述支撑板与支撑杆之间通过螺栓相连接。

进一步的，所述滑杆与下模板固定连接，所述滑杆的顶端设有第二螺纹柱，所述上模板与滑杆之间通过螺栓相连接。

进一步的，所述冲压模盒与丝杆螺母之间通过螺栓相连接。

进一步的，所述滑杆可沿着滑孔上下滑动。

进一步的，所述冲压模盒的宽度小于等于滑槽的宽度。

进一步的，所述支撑板上设有气缸固定孔，所述气缸固定在气缸固定孔内。