[实用新型]一种同组份砷化镓多晶大合成量工艺装置有效
申请号: | 201821981569.0 | 申请日: | 2018-11-29 |
公开(公告)号: | CN209194102U | 公开(公告)日: | 2019-08-02 |
发明(设计)人: | 于会永;冯佳峰;王文昌;赵春峰;袁韶阳;荆爱明;穆成锋;张军军 | 申请(专利权)人: | 大庆溢泰半导体材料有限公司 |
主分类号: | C30B28/06 | 分类号: | C30B28/06;C30B29/42 |
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地址: | 163000 黑龙江省大庆市高新区火*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 合成 加热炉 合成量 加热室 多晶 同组 压力传感器 工艺装置 固定卡座 控制箱体 砷化镓 半导体材料 制备技术领域 本实用新型 温度传感器 保护气体 从前至后 合成反应 密封作用 生产效率 压力平衡 整体装置 抽真空 高纯砷 高纯镓 密封塞 内压力 基面 内壁 密封 失衡 | ||
本实用新型涉及半导体材料制备技术领域,尤其为一种同组份砷化镓多晶大合成量工艺装置,包括加热炉、加热室和合成仓以及控制箱体,所述加热炉的内部设有加热室,所述加热炉的基面固定安装有控制箱体,所述加热室的内部设有合成仓,所述合成仓的内壁底部固定安装有固定卡座,所述固定卡座的顶部左侧从前至后依次设有温度传感器和压力传感器,整体装置由充入保护气体和压力传感器便于压力平衡,避免多晶合成时仓内压力的失衡,抽真空时合成仓与密封塞的密封,起到很高的密封作用,实现同组份的高纯砷和高纯镓的合成反应,实现大合成量,大幅提高生产效率,结构简单方便使用,且稳定性和实用性较高,具有一定的推广价值。
技术领域
本实用新型涉及半导体材料制备技术领域,具体为一种同组份砷化镓多晶大合成量工艺装置。
背景技术
砷化镓是继Ge、Si之后的第二代半导体材料。目前工业上应用最为广泛的是水平梯度凝固法合成的GaAs多晶,水平梯度凝固法所需要的设备简单,合成过程中,密封在石英管内的砷和镓不受外界环境的影响;现有的砷化镓多晶合成装置为保持管内压力平衡需要加入过量的As,石英管需要一边抽真空一边密封焊接,使管内的As和Ga原料处在真空状态,过量的As加热后如果与管内压力不平衡就会造成炸管,操作复杂,易造成人员伤害和环境污染,同时不可以同组份大合成量的生成砷化镓多晶,因此需要一种同组份砷化镓多晶大合成量工艺装置对上述问题做出改善。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种同组份砷化镓多晶大合成量工艺装置,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种同组份砷化镓多晶大合成量工艺装置,包括加热炉、加热室和合成仓以及控制箱体,所述加热炉的内部设有加热室,所述加热炉的基面固定安装有控制箱体,所述加热室的内部设有合成仓,所述合成仓的内壁底部固定安装有固定卡座,所述固定卡座的顶部左侧从前至后依次设有温度传感器和压力传感器,所述固定卡座的内部放置有石英舟,所述石英舟的内部从前至后交叠放置有高纯砷和高纯镓,所述合成仓的一侧贯通控制箱体的内部,所述控制箱体的基面左侧开设有通风孔,所述控制箱体的内部贴近通风孔的一侧固定安装有真空泵,所述真空泵与合成仓的内侧之间固定安装有连接管,所述的控制箱体的基面右侧嵌入安装控制面板,所述控制箱体的基面位于控制面板的下侧安装有氮气进气管,所述氮气进气管的另一端贯通控制箱体的内部连接于合成仓,所述氮气进气管上设置有连接阀,所述控制箱体的基面上位于合成仓的一侧固定安装有进料仓门,所述进料仓门与控制箱体的左侧连接处固定安装有门铰链,所述进料仓门的基面上中心处固定安装有把手,所述进料仓门的背部贴近合成仓的一侧固定安装有密封塞,所述进料仓门与控制箱体的右侧固定安装有锁紧机构。
优选的,所述控制面板上设有显示屏和多组控制按钮,且所述控制面板与真空泵、温度传感器、压力传感器内部电性连接。
优选的,所述石英舟共设有两组,且所述石英舟的一侧设有套环。
优选的,所述高纯砷共设有多组。
优选的,所述高纯镓共设有多组。
优选的,所述通风孔等间距开设有多组。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
1、本实用新型中,通过设置的固定卡座和两组石英舟,可以将高纯砷和高纯镓按1.1:1的比例对应交叠放入清洁的两组石英舟内,通过石英舟前侧的套环和合成仓内壁底部的固定卡座的辅助,便于用推杆将其推进合成仓内,实现同组份的高纯砷和高纯镓的合成反应,实现大合成量,大幅提高生产效率,结构简单方便使用。
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