[实用新型]一种K波段低噪声放大器电路有效

专利信息
申请号: 201821982886.4 申请日: 2018-11-29
公开(公告)号: CN209030164U 公开(公告)日: 2019-06-25
发明(设计)人: 徐小杰;吴洁 申请(专利权)人: 南京天矽微电子科技有限公司
主分类号: H03F1/26 分类号: H03F1/26;H03F1/56
代理公司: 南京泰普专利代理事务所(普通合伙) 32360 代理人: 窦贤宇
地址: 210000 江苏省南京市江宁*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 电感 电阻 低噪声放大器电路 直流阻塞电容 本实用新型 终端负载 电容 射频系统 重要数据 三极管 功耗 阻塞 电路 电源 通信 交流
【说明书】:

实用新型公开了一种K波段低噪声放大器电路,包括电源SRC1、终端负载Term1、终端负载Term2、交流阻塞电感DC_Feed1、直流阻塞电容DC_Block1,直流阻塞电容DC_Block2,三极管X1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C8、电容C9、电感L2、电感L3。本实用新型根据重要数据要求设计了电路,可以满足射频系统对通信质量的要求,同时满足节省功耗的要求。

技术领域

本实用新型涉及放大器领域,具体来说,涉及一种K波段低噪声放大器电路,可以用于各类射频、通信电路,对信号进行K波段的低噪放大处理。

背景技术

随着通信技术的不断发展,无线通信工具的要求也在不断提高。 低功率辐射和大覆盖范围已成为运营商乃至无线通信设备制造商的共同追求。 这在很大程度上取决于通信系统的灵敏度。 低噪声放大器的主要功能是放大从天线或空气接收的微弱信号,并降低噪声,从而提高系统的灵敏度,使系统能够解调所需的信息数据。

由于低噪声放大器是无线传感器网络中功率消耗的主要模块和射频前端的关键模块,其性能对整个系统起着决定性的作用。但是目前市面上所使用的低噪声放大器噪声系数依然偏高,输出驻波比很难调,而且增益也难以控制。整体来说,无法做到节省功耗。

针对相关技术中的问题,目前尚未提出有效的解决方案。

实用新型内容

针对相关技术中的问题,本实用新型提出一种K波段低噪声放大器电路,以克服现有相关技术所存在的上述技术问题。

本实用新型的技术方案是这样实现的:

一种K波段低噪声放大器电路,包括电源SRC1、终端负载Term1、终端负载Term2、交流阻塞电感DC_Feed1、直流阻塞电容DC_Block1,直流阻塞电容DC_Block2,三极管X1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C8、电容C9、电感L2、电感L3,其中,所述电源SRC1的负极接地,所述电源SRC1的正极与所述电阻R1的一端连接,所述电阻R1的另一端分别与所述交流阻塞电感DC_Feed1的一端、所述电阻R2的一端连接,所述交流阻塞电感DC_Feed1的另一端分别与所述三极管X1的集电极、所述电容C8的一端、所述电感L2的一端连接,所述电容C8的另一端接地,所述电感L2的另一端与所述直流阻塞电容DC_Block2的一端连接,所述直流阻塞电容DC_Block2的另一端与所述终端负载Term2的一端连接,所述终端负载Term2的另一端接地,所述电阻R2的另一端分别与所述三极管X1的基极、所述电阻R3的一端、所述电感L3的一端、所述电容C9的一端连接,所述三极管X1的发射极与所述电阻R3的另一端均接地,所述电感L3的另一端与所述直流阻塞电容DC_Block1的一端连接,所述直流阻塞电容DC_Block1的另一端接地,所述电容C9的另一端与所述终端负载Term1的一端连接,所述终端负载Term1的另一端接地。

进一步,所述三极管X1为BFP640晶体管。

进一步,所述电阻R1的阻值为116 Ohm,所述电阻R2的阻值为9.8k Ohm,所述电阻R3的阻值为4.1k Ohm。

进一步,所述终端负载Term1和所述终端负载Term2的阻值均为50 Ohm。

进一步,所述电感L2的电感值为10.903 nH,所述电感L3的电感值为28.2 nH。

进一步,所述电容C8的电容值为0.460 pF,所述电容C9的电容值为2.749 pF。

本实用新型的有益效果为:通过为晶体管设置合适的偏置配置,选择合适的源反射系数值,并计算了共轭匹配负载反射系数,从而设计合适的匹配电路。整体使得放大器的噪声系数低,输入输出驻波比小,调试难度小,不但节省了功效,而且也能迅速有效的控制电路的工作状态。

附图说明

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