[实用新型]闪存单元、闪存模块以及闪存芯片有效
| 申请号： | 201821984477.8 | 申请日： | 2018-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN209103825U | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 王绍迪 | 申请（专利权）人： | 北京知存科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 可编程半导体器件 模拟电容 闪存单元 临时数据 闪存模块 闪存芯片 存储 本实用新型 并联连接 单元存储 有效减少 擦写 长时 老化 | ||
1.一种闪存单元，其特征在于，包括：用于存储长时数据的可编程半导体器件以及用于存储临时数据的模拟电容单元，所述可编程半导体器件与所述模拟电容单元并联连接。
2.根据权利要求1所述闪存单元，其特征在于，所述模拟电容单元包括：输出晶体管、充电晶体管、放电晶体管以及电容；
所述输出晶体管的漏极连接所述可编程半导体器件的漏极，源极连接所述可编程半导体器件的源极，栅极连接所述电容的一端；
所述充电晶体管的源极连接高电压，栅极连接第一控制电压，漏极连接所述电容的另一端；
所述放电晶体管的源极连接低电压，栅极连接第二控制电压，漏极连接所述电容的另一端。
3.根据权利要求2所述闪存单元，其特征在于，还包括：编程电路，
所述编程电路连接所述充电晶体管的栅极和/或所述放电晶体管的栅极，用于向所述充电晶体管以及放电晶体管提供所述第一控制电压和/或所述第二控制电压。
4.根据权利要求3所述闪存单元，其特征在于，所述编程电路还连接所述可编程半导体器件，用于向所述可编程半导体器件提供编程电压。
5.根据权利要求4所述闪存单元，其特征在于，所述编程电路包括：电压产生电路和电压控制电路，所述电压产生电路用于产生所述第一控制电压和/或所述第二控制电压和/或所述编程电压，所述电压控制电路用于将所述电压产生电路产生的电压加载至对应的充电晶体管和/或放电晶体管和/或可编程半导体器件。
6.一种闪存模块，其特征在于，包括多个呈阵列布置的如权利要求1至2任一项所述闪存单元。
7.一种闪存芯片，其特征在于，包括：多个闪存模块；每个闪存模块均包括呈阵列布置的多个如权利要求1至2任一项所述闪存单元。
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