[实用新型]一种直流输入电源有效
申请号: | 201821987752.1 | 申请日: | 2018-11-29 |
公开(公告)号: | CN209184497U | 公开(公告)日: | 2019-07-30 |
发明(设计)人: | 宇娜 | 申请(专利权)人: | 合肥博元电子科技有限公司 |
主分类号: | H02M3/335 | 分类号: | H02M3/335;H02M1/32 |
代理公司: | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 | 代理人: | 苏友娟 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电感 电容 芯片 电连接 直流输入电源 引脚 控制电路 过电压保护电路 本实用新型 电路单元 电器设备 输入电压 输入电源 二极管 输出 | ||
1.一种直流输入电源,其特征在于,包括外壳和控制电路;所述控制电路包括PWM控制电路、第二电路单元、输入电源和过电压保护电路;
所述PWM控制电路包括电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电感L1、电感L2、电感L3、电感L4、电感L5、电感L6、电感L7、电感L8、芯片LM5025和二极管D1;
所述电容C5的正极电连接于所述芯片LM5025的Vcc引脚且负极接地;所述电容C4的正极电连接于所述芯片LM5025的SS引脚且负极接地;所述电容C3的正极电连接于所述芯片LM5025的REF引脚且负极接地;所述电感L7一端电连接于所述芯片LM5025的Rt引脚且另一端接地;所述电感L8一端电连接于所述芯片LM5025的TIME引脚且另一端接地;
所述电容C2的正极和所述电感L6的公共端接所述芯片LM5025的RAMP引脚;所述电容C2的负极接地;
所述电感L1和所述电感L2串联;所述电感L6的另一端、所述电感L1的一端和所述电容C1的正极的公共端接输入电源;所述电容C1的负极接地;所述电感L2的远离电感L1的一端接地;
所述过电压保护电路、电感L1和电感L2的公共端电连接于所述芯片LM5025的UVLO引脚;
所述电感L4和所述电感L5串联;所述电感L4和所述电感L5的公共端电连接于所述芯片LM5025的CS2引脚;
所述电感L3的一端串联于所述二极管D1的正极;所述电感L3的另一端和所述电感L5的公共端接地;所述二极管D1的负极和所述电感L4的另一端电连接于所述芯片LM5025的CS1引脚。
2.根据权利要求1所述的直流输入电源,其特征在于,所述第二电路单元包括变压器T1、电容C6、电容C7、电容C8、电感L9、电感L10、电感L11、场效应管MOS1、场效应管MOS2、场效应管MOS3、场效应管MOS4、二极管D2和误差放大器ERROR AMP;
所述场效应管MOS1的栅极电连接于所述芯片LM5025的OUT_A引脚;所述场效应管MOS1的源极S、场效应管MOS2的源极S和二极管D2的负极的公共端接地;
所述二极管D2的正极和所述电容C7的正极的公共端电连接于所述场效应管MOS2的栅极;所述电容C7的负极电连接于所述芯片LM5025的OUT_B引脚;所述场效应管MOS2的漏极电连接于所述电容C6负极;
所述电容C6的正极和场效应管MOS1的漏极的公共端电连接于所述变压器T1的初级线圈的一端,所述变压器T1的初级线圈的另一端接输入电源。
3.根据权利要求2所述的直流输入电源,其特征在于,所述场效应管MOS3的栅极、场效应管MOS4的漏极和电感L11的公共端接变压器T1的次级线圈的一端;所述场效应管MOS3的漏极和场效应管MOS4的栅极的公共端电连接于所述变压器T1的次级线圈的另一端;
所述场效应管MOS3的源极、所述场效应管MOS4的源极和电容C8的负极的公共端接地;所述电感L11的另一端、所述电容C8的正极和电感L9的公共端接输出端口;
所述电感L9和所述电感L10的公共端接于所述误差放大器ERROR AMP的引脚1,所述误差放大器ERROR AMP的引脚2接芯片LM5025的COMP引脚;所述电感L10的另一端接地。
4.根据权利要求3所述的直流输入电源,其特征在于,所述外壳包括壳体(3),于所述壳体(3)的两侧分别一体成型连接有进线管(1)和出线管(2);于所述壳体(3)的夹角处均一体成型的设有固定耳(4)。
5.根据权利要求4所述的直流输入电源,其特征在于,所述输入电源是9V~36V。
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