[实用新型]半导体工艺设备

权利要求书

1.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括：

腔体；

承载结构，所述承载结构包括一位于所述腔体内部的承载平台和与所述承载平台相连且延伸至所述腔体外部的升降杆；

动力部件，所述动力部件与所述腔体连接并容纳所述升降杆延伸至所述腔体外部的部分，所述动力部件与所述升降杆之间具有空隙；

其中，在所述动力部件与所述腔体连接处设置有一阀门，以使所述动力部件与所述腔体连通或隔断。

2.如权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述腔体和所述动力部件通过两组法兰密封连通，两组所述法兰分别设置于所述腔体上和所述动力部件上，所述阀门设置于两组所述法兰之间。

3.如权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述阀门包括第一阀块和第二阀块，所述第一阀块和所述第二阀块具有合拢后与所述承载结构在所述阀门处的截面相吻合的缺口，当所述第一阀块和所述第二阀块合拢时，所述腔体和所述动力部件被隔断，当所述第一阀块和所述第二阀块分离时，所述腔体和所述动力部件连通。

4.如权利要求3所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述第一阀块和所述第二阀块均为开口朝向所述升降杆的半环状体。

5.如权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述动力部件包括压缩件。

6.如权利要求5所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述升降杆与所述压缩件连接，所述压缩件在所述升降杆的延伸方向上的压缩运动带动所述承载结构上升或下降。

7.如权利要求1至6任一项所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述腔体具有进气口和排气口，所述承载平台具有朝向所述进气口的承载面，所述进气口朝向所述承载平台的承载面，所述排气口朝向所述承载平台的侧面。

8.如权利要求7所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述升降杆位于所述承载面的中心垂线上。

9.如权利要求7所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体工艺腔体内设置有与所述进气口连接的气体分流部件，以使反应气体通过所述气体分流部件进入所述半导体工艺腔体。

10.如权利要求1至6任一项所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体工艺设备为化学气相沉积设备、物理气相沉积设备、原子层沉积设备、或干法刻蚀设备。