[实用新型]一种功能化宽幅植入式微电极阵列有效
申请号: | 201821989496.X | 申请日: | 2018-11-29 |
公开(公告)号: | CN209645649U | 公开(公告)日: | 2019-11-19 |
发明(设计)人: | 杜学敏;王娟 | 申请(专利权)人: | 深圳先进技术研究院 |
主分类号: | A61N1/05 | 分类号: | A61N1/05;C09D4/00;C09D105/04;C09D105/08;C09D167/04;C08G63/06;C08G63/78 |
代理公司: | 11430 北京市诚辉律师事务所 | 代理人: | 耿慧敏<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 518055 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微电极阵列 功能化 宽幅 微电极 本实用新型 功能层 绝缘层 高分子材料层 高分子复合物 植入式微电极 单分子层 相关参数 依次设置 有效调节 导电层 基底层 良品率 微加工 卷曲 折叠 微创 位点 植入 | ||
1.一种功能化宽幅植入式微电极阵列,其特征在于,该功能化宽幅植入式微电极阵列包括依次设置的功能层、基底层、导电层、绝缘层;
其中,所述功能层为单分子层、高分子材料层和/或高分子复合物层,厚度为1nm-1000μm。
2.根据权利要求1所述的功能化宽幅植入式微电极阵列,其特征在于,该功能化宽幅植入式微电极阵列中的刺激通道的数量为60-2400。
3.根据权利要求1所述的功能化宽幅植入式微电极阵列,其特征在于,所述基底层的厚度为3μm-80μm;所述导电层的厚度为20nm-10μm。
4.根据权利要求1所述的功能化宽幅植入式微电极阵列,其特征在于,该功能化宽幅植入式微电极阵列由刺激端、引线部分和焊盘端组成;所述刺激端的尺寸为0.1cm-1.5cm。
5.根据权利要求4所述的功能化宽幅植入式微电极阵列,其特征在于,所述刺激端包括多个刺激位点,每一个刺激位点对应一个刺激通道,单个刺激位点的尺寸为50nm-5mm,相邻刺激位点的间距为20μm-1mm;
所述刺激端的形状为长方形、正方形、圆形或不规则几何形状。
6.根据权利要求4所述的功能化宽幅植入式微电极阵列,其特征在于,所述引线部分为长方形;所述长方形的长为1cm-15cm,宽为0.2cm-2cm。
7.根据权利要求6所述的功能化宽幅植入式微电极阵列,其特征在于,所述引线部分包括多条引线,相邻引线的间距为1μm-1mm。
8.根据权利要求4所述的功能化宽幅植入式微电极阵列,其特征在于,所述焊盘端的尺寸为0.5-20cm;
所述焊盘端的形状为长方形、正方形、圆形或不规则几何形状;当所述焊盘端的形状为长方形时,其长为0.5mm-20cm,宽为0.3mm-5cm;当所述焊盘端的形状为正方形时,其边长为0.5mm-20cm;当焊盘端的形状为圆形时,其直径为0.5mm-20cm。
9.根据权利要求8所述的功能化宽幅植入式微电极阵列,其特征在于,所述焊盘端包括多个焊盘,单个焊盘的尺寸为0.2mm-5mm,相邻焊盘的间距为20μm-1mm。
10.根据权利要求1-9任一项所述的功能化宽幅植入式微电极阵列,其特征在于,所述功能层为单分子层,该单分子层包括对基底层表面进行烷烃、硅烷烃或氟烷烃处理形成的单分子微纳结构层。
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