[实用新型]一种氮化镓基发光二极管外延片有效
| 申请号： | 201821991191.2 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN209199976U | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 郭炳磊;王群;葛永晖;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/26 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子阻挡层 子层 氮化镓基发光二极管 外延片 空穴 本实用新型 衬底 源层 半导体技术领域 晶格匹配度 平面扩展 依次层叠 注入效率 晶格 | ||
1.一种氮化镓基发光二极管外延片，所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、N型半导体层、有源层、电子阻挡层和P型半导体层，所述N型半导体层、所述有源层、所述电子阻挡层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上；其特征在于，所述电子阻挡层包括第一子层以及插入在所述第一子层中的至少一个第二子层，所述第一子层为P型掺杂的AlGaN层，所述第二子层为GeN层。
2.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述至少一个第二子层的厚度小于所述第一子层的厚度。
3.根据权利要求2所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述至少一个第二子层的厚度为所述第一子层的厚度的1/20～1/5。
4.根据权利要求3所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述至少一个第二子层的厚度为0.5nm～5nm。
5.根据权利要求4所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述第一子层的厚度为15nm～100nm。
6.根据权利要求1～5任一项所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述第二子层的数量为2个～15个，多个所述第二子层分别插入在所述第一子层的不同位置。
7.根据权利要求6所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，多个所述第二子层均匀插入在所述第一子层中，多个所述第二子层的厚度沿所述氮化镓基发光二极管外延片的层叠方向逐层减少。
8.根据权利要求6所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，多个所述第二子层的厚度相等，所述第一子层被多个所述第二子层划分的部分的厚度沿所述氮化镓基发光二极管外延片的层叠方向逐渐增大。
9.根据权利要求1～5任一项所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述第二子层形成时锗源的通入速率为400sccm～800sccm。
10.根据权利要求9所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述第一子层中P型掺杂剂的掺杂浓度为5*1017cm-3～5*1018cm-3。
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