[实用新型]液晶显示器Demux结构及液晶显示器

说明书

本实用新型涉及液晶显示器领域，提供了一种液晶显示器Demux结构及液晶显示器，所述液晶显示器Demux结构，包括两个以上场效应管，所述场效应管包括衬底以及于所述衬底由下至上依次层叠的第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二金属层、第二绝缘层和第三金属层，所述半导体层、第二绝缘层以及第三金属层沿衬底厚度方向延展。当沟道宽度相同时，在器件size上可缩小75％，从而能够达到更高的集成度，满足高分辨率的同时又能达到窄边框。

技术领域

本实用新型涉及液晶显示器领域，特别是涉及一种液晶显示器Demux结构。

背景技术

IGZO是一种含有铟、镓和锌的非晶氧化物，载流子迁移率是非晶硅的20～30倍，可以大大提高TFT对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，具备更快的面板刷新频率，可实现超高分辨率TFT-LCD。同时，IGZO在成本方面较低温多晶硅(LTPS)更有竞争力。

Demux，即多路复用器(Demultiplexer)，用于把一个信号分解为多个信号通道，常用于驱动显示器。如图1所示，为现有技术中LCD显示技术中一分三式DEMUX电路原理示意图。如图2所示，为现有的DEMUX的结构示意示意图，从图1中可见现有的Demux中沟道是沿水平方向设置的。随着对显示器画面品质的需求提升，高分辨率、窄边框成为未来显示器面板行业发展趋势。而现有的Demux沟道是沿水平方向设置的，在提高显示器分辨率的情况下无法缩减下边框，难以实现窄边框显示器。

实用新型内容

为此，需要提供一种新的液晶显示器Demux结构，用于解决现有技术中Demux无法兼顾显示器高分辨率与窄边框的技术问题。

为实现上述目的，发明人提供了一种液晶显示器Demux结构，包括两个以上场效应管，所述场效应管包括衬底以及于所述衬底由下至上依次层叠的第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二金属层、第二绝缘层和第三金属层，所述半导体层、第二绝缘层以及第三金属层沿衬底厚度方向延展。

进一步的，所述半导体层和第二绝缘层由上至下延展至所述衬底层。

进一步的，所述半导体层为IGZO半导体层。

进一步的，所述第一金属层为漏极，第二金属层为源极，第三金属层为栅极。

进一步的，所述栅极通过过孔与漏极连接。

进一步的，还包括第三绝缘层，所述第三绝缘层覆盖于所述第三金属层的表面。

为解决上述技术问题，本实用新型还提供了另一技术方案：

一种液晶显示器，包括用于成像的显示区和Demux区，所述Demux区设置于所述显示区的周围，所述Demux区包括以上任一技术方案中所述的Demux结构。

进一步的，所述显示区与所述Demux区位于同一衬底上，并且于所述衬底上由下至上依次层叠的第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二金属层、第二绝缘层和第三金属层。

区别于现有技术，上述技术方案中Demux结构中的半导体层、第二绝缘层以及第三金属层以及其所形成的沟道是沿衬底厚度方向延展，当沟道宽度相同时，在器件size上可缩小75％，从而能够达到更高的集成度，满足高分辨率的同时又能达到窄边框。

附图说明

图1为背景技术中LCD显示技术中一分三式DEMUX电路原理示意图；

图2为背景技术所述显示器Demux结构的结构图；

图3为具体实施方式中所述显示器Demux结构的结构图；

图4为具体实施方式中所述显示器Demux结构各层分拆分图；

图5为具体实施方式中显示器的显示区与Demux区的结构图；