[实用新型]双层外延片的制造设备有效

专利信息
申请号: 201821995486.7 申请日: 2018-11-30
公开(公告)号: CN209227101U 公开(公告)日: 2019-08-09
发明(设计)人: 陈海波 申请(专利权)人: 上海晶盟硅材料有限公司
主分类号: C30B31/18 分类号: C30B31/18;C30B29/06;C30B25/20;C30B25/16
代理公司: 上海脱颖律师事务所 31259 代理人: 李强;倪嘉慧
地址: 201707 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 掺杂 气源管道 生长 耐压层 本实用新型 双层外延片 缓冲层 气源输送 制造设备 过渡区 机台 气源输送管道 高浓度掺杂 独立设置 气体管路 磷烷 硼烷 残留 研究
【权利要求书】:

1.一种双层外延片的制造设备,其特征在于,包括:第一掺杂气源管道和第二掺杂气源管道,第一掺杂气源管道用于缓冲层生长时的掺杂气源输送,第二掺杂气源管道用于耐压层生长时的掺杂气源输送,第一掺杂气源管道和第二掺杂气源管道分别独立设置。

2.根据权利要求1所述的双层外延片的制造设备,其特征在于,还包括:稀释气源管道、混合管路、主氢气管道、独立管路、生长腔体、第一尾气通道、第二尾气通道和第一控制阀,其中,第一掺杂气源管道、第二掺杂气源管道和稀释气源管道分别与混合管路相连通,独立管路、混合管路和主氢气管路均与生长腔体连通,生长腔体用于进行缓冲层的生长和耐压层的生长,第一尾气通道的入口设置于独立管路、混合管路与生长腔体之间,第二尾气通道的入口与生长腔体连通,第一尾气通道的出口和第二尾气通道的出口均接入机台尾气处理设备,第一控制阀设置于第一尾气通道的入口处。

3.根据权利要求1或2所述的双层外延片的制造设备,其特征在于,还包括第一质量流量控制计、第二质量流量控制计、第三质量流量控制计、第四质量流量控制计、第五质量流量控制计,第一掺杂气源管道中的气体流量由第一质量流量控制计控制,稀释气源管道中的气体流量由第二质量流量控制计控制,混合管路中流经的气体流量由第三质量流量控制计控制,第二掺杂气源管道中的气体流量由第四质量流量控制计控制,主氢气管道气体流量由第五质量流量计控制。

4.根据权利要求3所述的双层外延片的制造设备,其特征在于,所述的独立管路的输入端设置气化设备,输出端与生长腔体连通,独立管路中的气体流量由第六质量流量控制计控制。

5.根据权利要求1所述的双层外延片的制造设备,其特征在于,还包括第二控制阀,第二控制阀设置于第二尾气通道的入口处或出口处。

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