[实用新型]半导体电容器有效
| 申请号： | 201821996078.3 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN208954983U | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 吴秉桓 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 于宝庆;崔香丹 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体电容器 晶须结构 晶须 电极 介电层 数据刷新 电容量 下电极 自刷新 包覆 去除 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体电容器，其特征在于，包括：
下电极；
第一介电层，形成于所述下电极表面；
第一上电极，形成于所述第一介电层表面；
至少一个晶须结构，被所述下电极包覆。
2.如权利要求1所述的半导体电容器，其特征在于，所述晶须结构包括：
第二上电极；
包覆所述第二上电极的第二介电层；
其中，所述第一上电极和所述第二上电极材料相同，所述第一介电层和所述第二介电层材料相同。
3.如权利要求2所述的半导体电容器，其特征在于，所述第一介电层在至少一个非晶须结构位置的剖面上形成封闭图形。
4.如权利要求2所述的半导体电容器，其特征在于，所述晶须结构的形状为直线形、弧线形、折线形和分叉形中的一种或多种。
5.如权利要求2所述的半导体电容器，其特征在于，所述晶须结构的直径为0.5-50nm。
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