[实用新型]具有平坦化结构的化合物半导体器件有效
| 申请号： | 201821998009.6 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN209461468U | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 吴俊鹏;大藤彻;谢明达 | 申请（专利权）人： | 捷苙科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 董科 |
| 地址： | 中国台湾苗粟*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 平坦化 介电层 化合物半导体器件 本实用新型 表面粗糙度 蚀刻选择比 研磨组件 工艺器 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有平坦化结构的化合物半导体器件，其特征在于，所述平坦化结构包括叠设在于所述化合物半导体器件上的多个第一介电层与多个第二介电层，其中，所述平坦化结构的表面粗糙度范围在5-20nm之间。
2.如权利要求1所述的具有平坦化结构的化合物半导体器件，其特征在于，所述化合物半导体器件是由氮化镓、砷化镓，或是氮化铝镓所构成的。
3.如权利要求1所述的具有平坦化结构的化合物半导体器件，其特征在于，所述化合物半导体器件是高电子迁移率场效应晶体管或是金属氧化物半导体场效应晶体管。
4.如权利要求1所述的具有平坦化结构的化合物半导体器件，其特征在于，所述第一介电层与所述第二介电层的材质係选自于硅的氮化物、硅的氧化物、硅的氮氧化物、硅的碳化物、硅的氮碳化物，以及上述材质的组合所构成。
5.如权利要求4所述的具有平坦化结构的化合物半导体器件，其特征在于，所述第一介电层的厚度范围是100-500nm。
6.如权利要求4所述的具有平坦化结构的化合物半导体器件，其特征在于，所述第二介电层的厚度范围是20-200nm。
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