[实用新型]一种传感器装置有效

专利信息
申请号: 201822005325.5 申请日: 2018-11-30
公开(公告)号: CN209417292U 公开(公告)日: 2019-09-20
发明(设计)人: 李扬渊 申请(专利权)人: 李扬渊
主分类号: G01S15/02 分类号: G01S15/02;G01S7/521
代理公司: 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 代理人: 杨林洁
地址: 215000 江苏省苏州市工*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 第二区域 覆盖板 第一区域 弯曲区域 基板 超声波传感器电路 传感器装置 结合层 避让 本实用新型 超声波信号 第一表面 电极形成 接收过程 外接引线 弯曲工艺 电极 发射
【说明书】:

本实用新型请求保护一种传感器装置,该装置包括:基板,该基板的第一表面具有第一区域、第二区域以及弯曲区域,所述弯曲区域位于所述第一区域和所述第二区域之间;超声波传感器电路,所述超声波传感器电路形成在所述第一区域;电极,所述电极形成在所述第二区域;覆盖板,所述覆盖板通过结合层设置在所述基板上方。弯曲区域使得第二区域使得外接引线避让覆盖板,使得结合层厚度大大降低,降低了超声波信号在发射和接收过程中的损失,并且通过弯曲工艺形成避让覆盖板的第二区域,工艺简单易操作。

技术领域

本实用新型专利涉及超声波传感领域。

背景技术

传统的超声波传感器是由基于压电陶瓷的单体超声波传感器组装,这种方案无法实现高密度点阵的超声波传感器,高密度点阵超声波传感器可通过mems工艺制造,但成本过高,高密度点阵超声波传感器还可基于TFT工艺,可用于指纹采集,在玻璃基板上的TFT(薄膜晶体管)阵列上覆盖压电薄膜的结构实现高密度点阵的超声波传感器结构,该超声波传感结构如图1所示。

如图1,超声波传感器电路6和焊盘4设置在玻璃基板1上;超声波传感器电路6包括形成在基板1上的像素电路以及压电薄膜等,像素电路包括TFT阵列,TFT阵列沉积在玻璃基板1上;基板1上包括焊盘4,外接引线5设置在基板的上方,并且外接引线5与超声波传感器电路6通过焊盘电连接;覆盖板3通过结合层2设置在超声波传感器电路6的上方。

超声波传感器电路6发射的超声波信号穿过结合层2和覆盖板3被探测目标反射,反射后的超声波信号再经过覆盖板3和结合层2被超声波传感器电路6接收,由于结合层2刚度低,对超声波接收较强,超声波信号损失与结合层的厚度正相关。外接引线远大于超声波传感器电路的厚度,抬高了覆盖板3的安装位置,导致结合层厚度由外接引线和超声波传感器电路的厚度差影响,该厚度差越大,则结合层厚度越厚,超声波信号损失越大。

高通为了解决该问题,在专利us2017/0364726中披露了通过TSV工艺将外接引线设置在基板的背面,但TSV工艺复杂。

实用新型内容

本实用新型请求保护一种传感器装置,该装置包括:基板,该基板的第一表面具有第一区域、第二区域以及弯曲区域,所述弯曲区域位于所述第一区域和所述第二区域之间;超声波传感器电路,所述超声波传感器电路形成在所述第一区域;电极,所述电极形成在所述第二区域;覆盖板,所述覆盖板通过结合层设置在所述基板上方。

优选地,所述弯曲区域使得所述第二区域避让所述覆盖板。

优选地,该装置还包括外接引线,所述外接引线与所述电极电连接。

优选地,所述外接引线为柔性电路板或打线形成的金属线。

优选地,所述弯曲区域使得所述外接引线避让所述覆盖板。

优选地,所述基板的第二表面设置补强板。

优选地,所述基板弯曲呈阶梯型、U型或L型。

优选地,所述基板为玻璃或聚酰亚胺材料。

优选地,所述超声波传感器电路接收探测目标反射的超声波信号,该反射的超声波信号穿过所述覆盖板和所述结合层。

优选地,所述基板由玻璃熔化后弯曲而成。

本实用新型的弯曲结构导致第二区域避让覆盖板,从而使得外接引线避让覆盖板,解决了结合层厚度过厚的问题,并且弯曲基板的方法相对于其他方法简单易操作。

附图说明

图1是现有技术的传感器装置的结构示意图。

图2和图3是本实用新型实施例一的传感器装置的结构示意图。

图4和图5是本实用新型实施例二的传感器装置的结构示意图。

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