[实用新型]曲面太阳能电池有效
申请号: | 201822008963.2 | 申请日: | 2018-11-30 |
公开(公告)号: | CN209000926U | 公开(公告)日: | 2019-06-18 |
发明(设计)人: | 张传升;赵剑;郭凯;韩青树 | 申请(专利权)人: | 国家能源投资集团有限责任公司;中国节能减排有限公司;重庆神华薄膜太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/046 | 分类号: | H01L31/046;H01L31/0463;H01L31/0465 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 韩建伟;谢湘宁 |
地址: | 100011 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 切割区域 薄膜太阳能电池 太阳能电池 曲面玻璃 电池单元 衬底 平行 本实用新型 子电池单元 安全电压 并联连接 电压降低 连接关系 良品率 并联 分隔 贴合 串联 垂直 | ||
1.一种曲面太阳能电池,其特征在于,包括曲面玻璃和设置在曲面玻璃表面上的薄膜太阳能电池,所述薄膜太阳能电池包括衬底(50)以及设置与所述衬底(50)上的电池单元,所述电池单元被至少一个第一切割区域(30)以及至少一个第二切割区域(40)分隔为多个子电池单元,所述第一切割区域(30)为多个时,各所述第一切割区域(30)之间相互平行,所述第二切割区域(40)为多个时,各所述第二切割区域(40)之间相互平行,所述第一切割区域(30)与所述第二切割区域(40)垂直,相邻各所述子电池单元之间的连接关系选自并联连接、串联连接以及并联和串联相结合连接中的至少一种。
2.根据权利要求1的曲面太阳能电池,其特征在于,所述电池单元包括沿远离所述衬底(50)的方向顺序层叠的背电极层(60)、吸收层(70)、缓冲层(80)和前电极层(90)。
3.根据权利要求2的曲面太阳能电池,其特征在于,各所述子电池单元中分别具有多个相互平行的第一划线区域(201)、第二划线区域(202)和第三划线区域(203),所述第一划线区域(201)从所述衬底(50)上表面贯穿至所述背电极层(60)上表面,所述第二划线区域(202)从所述背电极层(60)上表面贯穿至所述缓冲层(80)上表面,且部分所述前电极层(90)位于所述第二划线区域(202)中所述背电极层(60)的上表面,所述第三划线区域(203)从所述背电极层(60)上表面贯穿至所述前电极层(90)上表面。
4.根据权利要求3的曲面太阳能电池,其特征在于,所述第一划线区域(201)、所述第二划线区域(202)和所述第三划线区域(203)均与所述第一切割区域(30)平行,或者所述第一划线区域(201)、所述第二划线区域(202)和所述第三划线区域(203)均与所述第二切割区域(40)平行。
5.根据权利要求3的曲面太阳能电池,其特征在于,所述第一划线区域(201)、所述第二划线区域(202)和所述第三划线区域(203)的宽度均为40~100μm。
6.根据权利要求3的曲面太阳能电池,其特征在于,相邻各所述第一划线区域(201)之间、相邻各所述第二划线区域(202)之间以及相邻各所述第三划线区域(203)之间的距离均为2~8mm。
7.根据权利要求3的曲面太阳能电池,其特征在于,在所述第一划线区域(201)、所述第二划线区域(202)和所述第三划线区域(203)的延伸方向上,所述第一划线区域(201)、所述第二划线区域(202)和所述第三划线区域(203)与所述子电池单元边缘之间的最短距离均为8~16mm。
8.根据权利要求3的曲面太阳能电池,其特征在于,在与所述第一划线区域(201)、所述第二划线区域(202)和所述第三划线区域(203)的延伸方向垂直的方向上,所述第一划线区域(201)、所述第二划线区域(202)和所述第三划线区域(203)与所述子电池单元边缘之间的最短距离均为15.5mm。
9.根据权利要求1至8中任一项的曲面太阳能电池,其特征在于,所述曲面太阳能电池(10)还包括设置在所述薄膜太阳能电池与所述曲面玻璃之间的PVB胶膜。
10.根据权利要求9的曲面太阳能电池,其特征在于,所述PVB胶膜的厚度为0.5~1.52mm。
11.根据权利要求1至8中任一项的曲面太阳能电池,其特征在于,所述电池单元还包括汇流条,所述汇流条焊接在所述衬底(50)上,且所述汇流条分别与各所述子电池单元电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的