[实用新型]一种用于对太阳能电池进行抗光衰处理的探针装置

说明书

本实用新型公开了一种用于对太阳能电池进行抗光衰处理的探针装置，包括边框、探针条、导电金属片和金属探针；边框为绝缘绝热材质且两边都设置有第一安装孔的矩形边框；边框下方设置有若干个探针条；探针条为长条形的金属板，探针条的中间部分下凹，探针条的两端都设置有第二安装孔；探针条两端的第二安装孔通过安装件和第一安装孔与边框的两边固定连接；探针条的中间部分上间隔设置有若干个金属探针；金属探针的朝向垂直于探针条所在平面；所有探针条的一端和对应的边框的一边之间还设置有导电金属片，导电金属片与所有探针条的一端连接，导电金属片的长度长于边框的一边。本实用新型具有结构坚固、外观美观、易于制造、且制造成本低等多种优点。

技术领域

本实用新型属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种用于对太阳能电池进行抗光衰处理的探针装置。

背景技术

掺硼p型晶体硅太阳能电池(包括常规铝背场电池和效率超过20％的高效PERC电池)凭借其低成本、高效率、长寿命以及成熟的工艺技术等竞争优势，牢牢占据着光伏市场的主导地位。然而，掺硼p型晶体硅太阳能电池存在光衰的问题，该问题长期以来极大地困扰着掺硼p型晶体硅太阳能电池的发展。

尽管人们已经对掺硼p型晶体硅太阳能电池的光衰机制进行了大量的研究，但是，人们至今对引起掺硼p型晶体硅太阳能电池光衰的缺陷的结构、种类和性质等仍存在争论。目前，主流的观点认为光照使掺硼p型晶体硅内部形成了硼—氧复合体这种亚稳缺陷，光致性能衰减就是由这种亚稳缺陷造成的。

在掺硼p型晶体硅太阳能电池光衰抑制措施的研究方面，Herguth等人于2006年发现掺硼直拉单晶硅片在载流子注入(譬如使用光强大于1000W/m2的光照射)的同时给予加热(50—210℃)，硼—氧缺陷会发生“复原”反应，即硼—氧缺陷会由具有复合活性的“衰减态”转变为丧失复合活性的“复原态”，硼—氧缺陷造成的少子寿命的光致衰减基本能完全恢复，更重要的是硼—氧缺陷的“复原态”在太阳能电池工作条件下是稳定的。

在对掺硼p型晶体硅太阳能电池抗光衰处理方面，对电池片的载流子注入可选择“光注入”和“电注入”两种方式，而“电注入”相对于“光注入”具有节省能源、注入电流大、不存在光损伤、可叠片批量化处理等独特的优势。然而，目前市面上并没有专用的探针架可对太阳能电池进行电注入抗光衰处理。人们通常使用I-V特性测试仪上的探针架或者金属压块来接触太阳能电池的正面电极进行电注入，然而I-V特性测试仪上的探针架是为了准确测量太阳能电池I-V特性参数优化设计的，其设计考虑了遮光损失、电流、电压的同时引出及相互绝缘、兼容多种主栅结构、结构坚固、外观美观等多种因素，因此造价非常昂贵，此外，I-V特性测试仪上的探针架通常在标准测试条件(25℃，1个太阳光强)下使用，电注入抗光衰处理时加热温度受到很大限制。使用金属块接触太阳能电池的正面电极则存在注入电流在电池面积上分布不均匀的问题。

现有技术中，目前没有研制出合适的探针架用于掺硼p型晶体硅太阳能电池的电注入抗光衰处理，大部分所应用的抗光衰处理装置都非常复杂且昂贵，同时操作十分复杂。

实用新型内容

为了克服上述技术缺陷，本实用新型提供一种用于对太阳能电池进行抗光衰处理的探针装置，它既可以完全满足“电注入+加热”抗光衰处理的实验要求，又可兼容多种主栅结构且注入电流均匀分布，此外，还具有结构坚固、外观美观、易于制造、且制造成本低等多种优点。

为了解决上述问题，本实用新型按以下技术方案予以实现的：

一种用于对太阳能电池进行抗光衰处理的探针装置，包括边框、探针条、导电金属片和金属探针；

所述边框为绝缘绝热材质，所述边框为两边都设置有第一安装孔的矩形边框；所述边框下方设置有若干个所述探针条；

所述探针条为长条形的金属板，所述探针条的中间部分下凹，所述探针条的两端都设置有第二安装孔；所述探针条两端的所述第二安装孔通过安装件和所述第一安装孔与所述边框的两边固定连接；