[实用新型]射频开关芯片

说明书

本实用新型公开了一种射频开关芯片，包括信号端口、天线、N个第一开关模块、N个第二开关模块、偏置和控制电路，N个第一开关模块和N个第二开关模块的每一开关模块通过信号线串联连接于信号端口和天线之间；N个第一开关模块设置在天线的一侧，自首至尾成排设置，且至中轴线的垂直距离自首至尾依次远离所述中轴线设置，N个第一开关模块和N个第二开关模块以天线为中轴线对称设置；偏置和控制电路分别与N个第一开关模块和N个第二开关模块连接，用于控制N个第一开关模块中的一个开关模块或者N个第二开关模块中的一个开关模块导通，以供信号端口和天线之间通过唯一导通的开关模块传输信号。本实用新型提高了射频开关芯片的电磁兼容(EMC)性问题。

技术领域

本实用新型涉及射频技术领域，特别涉及一种射频开关芯片。

背景技术

射频开关，包括开关核和开关控制器，用于控制射频通信号连接发射天线的通断。随着无线技术的迅猛发展，以LTE技术为代表3G/4G的无线技术的多模式多频段的智能手机系统中,其模式和频段的数量在不断地增加，例如工作模式有GSM、TDSCDMA、WCDMA和TDD-LTE等等，频段覆盖从700MHz 到6GHz的范围，智能手机等移动终端通过射频开关选择所需的功率放大倍率，建立模式和频段信号的通道，通过控制不同信号的通断来实现在不同模式和频段间切换。这就需要射频开关在保持线性等性能的情况下，具有更多的通道路径来处理更广的频段。

开关核由多个单元电路构成，每个单元电路均由多个晶体管支路串联而成。在包含有多个射频开关的射频开关芯片中，由于单元电路版图摆放方式的杂乱不一致，射频开关之间的距离比较近，导致射频开关之间会有信号串扰、射频发射辐射和传导辐射等电磁干扰(EMI)，影响信号的传输，降低射频开关的性能。电磁兼容(EMC)能力降低，开关单元的性能由于电磁兼容不好而更容易导致性能受损。目前提高电磁兼容(EMC)的方法大都是采用滤波和接地屏蔽，但是这些方法会增加面积和成本。

实用新型内容

本实用新型的主要目的是提出一种射频开关芯片，旨在解决射频开关芯片的电磁兼容(EMC)问题。

为实现上述目的，本实用新型提出一种射频开关芯片，包括包括信号端口、天线、N个第一开关模块、N个第二开关模块、偏置和控制电路，N个所述第一开关模块和N个所述第二开关模块的每一开关模块通过信号线串联连接于所述信号端口和所述天线之间；N个所述第一开关模块设置在所述天线的一侧，N个所述第一开关模块自首至尾成排设置，N个所述第一开关模块至所述中轴线的垂直距离自首至尾依次远离所述中轴线设置，N个所述第一开关模块和N个所述第二开关模块以所述天线为中轴线对称设置；

所述偏置和控制电路分别与N个所述第一开关模块和N个所述第二开关模块连接，所述偏置和控制电路，用于控制N个所述第一开关模块中的一个开关模块或者N个所述第二开关模块中的一个开关模块导通，以供所述信号端口和所述天线之间通过唯一导通的开关模块传输信号。

可选地，所述成排设置的N个所述第一开关模块排列方向与N个所述第一开关模块和N个所述第二开关模块的对称轴延伸方向一致，N个所述第二开关模块对应N个所述第一开关模块设置。

可选地，所述多排第一开关模块在其排列方向的每一垂直方向上具有一个第一开关模块，N个所述第二开关模块对应N个所述第一开关模块设置。

可选地，其特征在于，N个所述第一开关模块中任意两相邻的第一开关模块之间的间距大于或者等于150微米；

和/或，

N个所述第二开关模块中任意两相邻的第二开关模块之间的间距大于或者等于150微米。

可选地，所述射频开关芯片中的开关模块包括射频输入端、射频输出端、开关单元电路、栅极电压控制电路及体极控制电路，其中，