[实用新型]宽带抗弯多模光纤

说明书

本实用新型提供一种宽带抗弯多模光纤，包括芯层、基管、下陷包层及外包层，所述基管、下陷包层及外包层沿径向的横截面均为圆环，其特征在于：所述芯层中掺杂有GeO₂，P₂O₅和F，所述芯层为折射率渐变区，所述芯层半径为R1，所述基管套设于所述芯层外侧，所述基管的宽度为R2‑R1，所述下陷包层设置在所述基管的外侧，所述下陷包层的宽度为R3‑R2，所述外包层套设于所述下陷包层的外侧，所述外包层的宽度为Rmax‑R3，所述芯层中的P₂O₅和F的摩尔浓度随所述芯层的半径变化。本实用新型提供的宽带抗弯多模光纤，降低了所制造的抗弯多模光纤的成本并且具有良好的抗弯性能。

技术领域

本实用新型涉及光通信领域，尤其涉及一种宽带抗弯多模光纤。

背景技术

传统的抗弯多模光纤采用管内法制造，其中芯层沉积掺GeO₂的石英，外面再沉积掺F的石英深下陷包层，外层再套纯石英套管。但是由于多模光纤本身的沉积芯层很大，且多模预制棒的沉积速率远低于单模预制棒的沉积速率，造成多模光纤在市场上的售价远高于单模光纤。目前，降低多模光纤的制造成本的方法不多，主要是采用提高沉积速率、增大芯棒尺寸以及廉价的原材料，但是这些方法受到工艺的局限，也带来多模光纤衰耗的略微增大为代价。

实用新型内容

有鉴于此，有必要提供一种宽带抗弯多模光纤，其降低了生产成本且具有良好的抗弯性能。

本实用新型提供一种宽带抗弯多模光纤，包括芯层、基管、下陷包层及外包层，所述基管、下陷包层及外包层沿径向的横截面均为圆环，所述芯层中掺杂有GeO₂，P₂O₅和F，所述芯层为折射率渐变区，所述芯层半径为R1，所述基管套设于所述芯层外侧，所述芯层中心到所述基管边界的距离为R2，所述基管的宽度为R2-R1，所述下陷包层设置在所述基管的外侧，所述芯层中心到所述下陷包层边界的距离为R3，所述下陷包层的宽度为R3-R2，所述外包层套设于所述下陷包层的外侧，所述芯层中心到所述外包层边界的距离为Rmax，所述外包层的宽度为Rmax-R3，所述芯层中的F的摩尔浓度随所述芯层的半径变化，满足如下公式：

其中，M_F0为所述芯层中心的F的摩尔浓度，β_F的取值范围为6-10，所述M_F(r)表示所述F在所述芯层中心轴的径向距离r处的摩尔浓度。

进一步的，所述β_F的取值范围优选为7-9。

进一步的，所述芯层中的P₂O₅的摩尔浓度随所述芯层的半径变化，满足如下公式：

其中，M_P0为纤芯层中心P₂O₅的摩尔浓度，β_p取值范围为2.0-4.5，所述M_P(r)表示所述P₂O₅在所述芯层中心轴的径向距离r处的摩尔浓度。

进一步的，所述β_p的取值范围优选为2.5-3.5。

进一步的，所述芯层中心的折射率差Δn₀为0.0127-0.0167，所述芯层半径R1为22-26μm，所述基管的宽度R2-R1为5.5-10.5μm，所述芯层中心至所述外包层边缘距离Rmax为62.5±2.5μm。

进一步的，所述芯层半径R1优选为23-24μm，所述基管的宽度，优选6.5-9.5μm。

进一步的，所述下陷包层沉积在所述基管外壁或在所述基管外侧外套一掺氟石英形成。