[实用新型]一种超宽带混频芯片电路

说明书

本实用新型公开了一种超宽带混频芯片电路，包括晶体管Q1、晶体管Q2、晶体管Q3、晶体管Q4、晶体管Q5、晶体管Q6、晶体管Q7、晶体管Q8、电阻R1、电阻R2、电阻R3。本实用新型根据吉尔伯特混频原理设计混频芯片，以较为简单的元器件连接方式完成较大动态范围的混频工作，满足节省功耗的要求。

技术领域

本实用新型涉及混频器领域，具体来说，涉及一种超宽带混频芯片电路，可以用于电子通信和电子对抗等领域，主要用于对接受信号进行高频转中频的不同频率信号分离处理。

背景技术

宽带接收机经常被使用在电子通信和电子对抗等领域，它们的作用是将接收到的宽带射频信号变换为频率固定的中频信号，是信号处理中不可或缺的一个器件。而作为接收系统的频率转换器件的混频器，其性能直接影响接收系统的动态范围。因此，具有低变频损耗、高线性度的混频器一直是各研发企业钻研的方向。在各种类型的混频器中，超宽带混频器因为其所具有的结构简单、超宽频带和高线性度等诸多优点，使其在接收机中得到了广泛的应用

近年来高集成度，低成本的雷达T/R组件成为研究的热点，混频器作为这种组件的关键模块，起到决定组件质量的重要作用。目前市面上所使用的混频器，在增益和线性度的性能上很难同时完成高质量的需求保证，最常使用的双平衡混频器，也是在牺牲增益的前提下来保障线性度的。

针对相关技术中的问题，目前尚未提出有效的解决方案。

实用新型内容

针对相关技术中的问题，本实用新型提出一种超宽带混频芯片电路，以克服现有相关技术所存在的上述技术问题。

本实用新型的技术方案是这样实现的：

一种超宽带混频芯片电路，包括晶体管Q1、晶体管Q2、晶体管Q3、晶体管Q4、晶体管Q5、晶体管Q6、晶体管Q7、晶体管Q8、电阻R1、电阻R2、电阻R3，其中，所述电阻R1的一端与所述电压V_in连接，所述电阻R1的另一端与所述晶体管Q1的第二引脚连接，所述晶体管Q1的第三引脚与所述电阻R2的一端连接，所述电阻R2的另一端分别与所述晶体管Q4的第一引脚、所述晶体管Q2的第一引脚、所述晶体管Q6的第二引脚、所述电压V0+连接，所述晶体管Q1的第一引脚与所述电阻R3的一端连接，所述电阻R3的另一端分别与所述晶体管Q3的第三引脚、所述晶体管Q5的第三引脚、所述晶体管Q7的第二引脚、所述电压V0-连接，所述晶体管Q2的第二引脚与所述晶体管Q5的第二引脚均与所述电压L0+连接，所述晶体管Q3的第二引脚与所述晶体管Q4的第二引脚均与所述电压L0-连接，所述晶体管Q2的第三引脚分别与所述晶体管Q3的第一引脚、所述晶体管Q6的第一引脚连接，所述晶体管Q4的第三引脚分别与所述晶体管Q5的第一引脚、所述晶体管Q7的第三引脚连接，所述晶体管Q6的第三引脚分别与所述晶体管Q7的第一引脚、所述晶体管Q8的第一引脚连接，所述晶体管Q8的第二引脚与所述电压V_out连接，所述晶体管Q8的第三引脚接地。

进一步，所述电阻R1的阻值为51 Ohm。

进一步，所述电阻R2和所述电阻R3的阻值均为1k Ohm。

进一步，所述晶体管Q1与所述晶体管Q2、所述晶体管Q3、所述晶体管Q4、所述晶体管Q5、所述晶体管Q6、所述晶体管Q7、所述晶体管Q8的型号均为N沟道结型晶体场效应管。

本实用新型的有益效果为：以吉尔伯特混频原理为基础，利用较为基础的电子元器件连接，完成了较宽频率段的混频处理芯片，同时兼有噪声较低和线性度较高的优点，很适合在各种小型接收机中使用。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。