[实用新型]一种图形化蓝宝石衬底曝光纵向拼接结构

说明书

本实用新型属于半导体材料领域，公开了一种图形化蓝宝石衬底曝光纵向拼接结构，包括单位图、外缘、重叠区、曝光区，所述的单位图规则排布于曝光区，所述的外缘包括上外缘、下外缘，所述上外缘、下外缘分别设于曝光区的上下两侧，所述重叠区由两个不同曝光区拼接，且由一个所述曝光区的上外缘与另一个曝光区的下外缘拼接而成，本实用新型中，采用两曝光区纵向大半圆拼接的方式，对掩模对不同的曝光区域进行曝光，最终各曝光区域拼接后实现整个曝光场的曝光，实现曝光的均匀性，拼接位置对应的曝光能量与其他位置对应的曝光能量相一致，达到消除残胶、提高曝光质量的目的。

技术领域

本实用新型涉及半导体材料技术领域，尤其涉及一种图形化蓝宝石衬底曝光纵向拼接结构。

背景技术

图形化蓝宝石衬底，也就是在蓝宝石衬底上生长干法刻蚀用掩膜，用标准的光刻工艺将掩膜刻出图形，利用ICP 刻蚀技术刻蚀蓝宝石，并去掉掩膜，再在其上生长GaN 材料，使GaN 材料的纵向外延变为纵向外延。一方面可以有效减少GaN 外延材料的位错密度，从而减小有源区的非辐射复合，减小反向漏电流，提高LED 的寿命；随着LED 领域工艺技术的发展，以及整个LED 行业的迅速壮大，对GaN 基LED 器件PSS 衬底的研究也逐渐增多。如今各厂家纷纷采用PSS 技术，以提高LED 器件的光提取效率。

在通常曝光的过程中，均采用与曝光场1:1 设置的掩模进行曝光，然而，在图形化蓝宝石衬底的曝光过程中，常会采用投影镜镜头使经过掩模的投影图像按比例缩小到工件台上，从而使曝光图形的线宽得到进一步的缩小，同时也是为了缩小了掩模制作上的缺陷。在这一情况下，举例来说，如果缩小的比例为5 ：1，为了保证曝光，就需要实际采用5 倍于曝光场的掩模进行曝光，增大了操作的难度,也过多地消耗了成本； 此外，在利用步进式曝光方式制作图形化蓝宝石衬底（PSS）时，由于工件台伺服性能，像差和镜头分辨率等影响因素，曝光场拼接处CD 会受到明显的影响；尤其是当两个图形间距的一半接近或小于光刻机最小分辨率的时候，会导致拼接处CD 变化或产生残胶等现象，影响最终PSS 图形均匀性，为此我们提出了一种图形化蓝宝石衬底曝光纵向拼接结构。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种图形化蓝宝石衬底曝光纵向拼接结构。

为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：

一种图形化蓝宝石衬底曝光纵向拼接结构，包括单位图、外缘、重叠区、曝光区，所述的单位图规则排布于曝光区，所述的外缘包括上外缘、下外缘，所述上外缘、下外缘分别设于曝光区的上下两侧，所述重叠区由两个不同曝光区拼接，且由一个所述曝光区的上外缘与另一个曝光区的下外缘拼接而成。

优选的，所述的曝光区采用以大半圆的结构拼接。

本实用新型的有益效果是：采用两曝光区纵向大半圆拼接的方式，对掩模对不同的曝光区域进行曝光，最终各曝光区域拼接后实现整个曝光场的曝光，实现曝光的均匀性，拼接位置对应的曝光能量与其他位置对应的曝光能量相一致，达到消除残胶、提高曝光质量的目的。

附图说明

图1为本实用新型提出的一种图形化蓝宝石衬底曝光纵向拼接结构中曝光区拼接的结构示意图；

图2为本实用新型提出的一种图形化蓝宝石衬底曝光纵向拼接结构中曝光区的结构示意图。

图中：1单位图、2外缘、21上外缘、22下外缘、3重叠区、4曝光区。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。