[实用新型]一种多晶合成炉有效
申请号: | 201822020016.5 | 申请日: | 2018-12-04 |
公开(公告)号: | CN209685955U | 公开(公告)日: | 2019-11-26 |
发明(设计)人: | 袁泽海;于洪国;马远飞;易见伟;马英俊;许所成;李万朋 | 申请(专利权)人: | 有研光电新材料有限责任公司 |
主分类号: | C30B29/42 | 分类号: | C30B29/42;C30B28/06 |
代理公司: | 11619 北京辰权知识产权代理有限公司 | 代理人: | 佟林松<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 065001 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 炉膛 多晶 合成炉 低温加热区 高温加热区 碳化硅炉管 晶体生长 本实用新型 多晶原料 放置区 可控性 水平梯度凝固法 砷化镓 炉体 镓砷 保证 | ||
1.一种多晶合成炉,其特征在于,包括炉体(1)和炉膛,所述炉膛分为高温加热区和低温加热区(4),还包括在炉膛内的碳化硅炉管(2)以及所述碳化硅炉管(2)内的晶体生长管(3);所述晶体生长管(3)在低温加热区(4)设置有一种多晶原料放置区(5);并且所述晶体生长管(3)在高温加热区设置有另一种多晶原料放置区。
2.根据权利要求1所述的多晶合成炉,其特征在于,所述高温加热区与所述低温加热区(4)位于同一高度,且保持水平。
3.根据权利要求1所述的多晶合成炉,其特征在于,所述碳化硅炉管(2)与所述炉膛为同轴心设置,且所述碳化硅炉管(2)两端开口。
4.根据权利要求1所述的多晶合成炉,其特征在于,所述炉膛内设置有加热体。
5.根据权利要求4所述的多晶合成炉,其特征在于,所述高温加热区包括第一高温区(6)、第二高温区(7)和第三高温区(8),所述第一高温区(6)、第二高温区(7)和第三高温区(8)三者独立设置。
6.根据权利要求1-5任意一项所述的多晶合成炉,其特征在于,所述晶体生长管(3)在另一种多晶原料放置区内设置有石英舟(9),且所述另一种多晶原料放置在所述石英舟(9)内。
7.根据权利要求6所述的多晶合成炉,其特征在于,所述碳化硅炉管(2)上设置有观察窗口(10),且对应的炉膛上设置有观察孔。
8.根据权利要求7所述的多晶合成炉,其特征在于,所述观察窗口(10)为所述碳化硅炉管(2)开设一开口并在表面覆盖石英片,且所述观察窗口(10)位于所述石英舟(9)远离所述低温加热区(4)一侧的正上方。
9.根据权利要求1所述的多晶合成炉,其特征在于,所述的一种多晶原料为砷,另一种多晶原料为镓,所述多晶为砷化镓。
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