[实用新型]半极性氮化镓单量子阱蓝光发光器件有效
| 申请号： | 201822027653.5 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN208970549U | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 陈辰;宋杰;崔周源 | 申请（专利权）人： | 西安赛富乐斯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京金讯知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11554 | 代理人： | 黄剑飞 |
| 地址： | 710003 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单量子阱 蓝光发光器件 半极性 氮化镓 源层 | ||
【权利要求书】：
1.一种半极性氮化镓单量子阱蓝光发光器件，其包括：
N型氮化镓层；
P型氮化镓层；以及
单量子阱有源层，位于N型氮化镓层和P型氮化镓层之间，所述单量子阱材料为InxGayN1-x-y，所述x值为0.1-0.2之间，其厚度为
2.根据权利要求1所述的半极性氮化镓单量子阱蓝光发光器件，其中所述x值为0.15之间。
3.根据权利要求1或2所述的半极性氮化镓单量子阱蓝光发光器件，其中所述单量子阱的厚度为
4.根据权利要求1所述的半极性氮化镓单量子阱蓝光发光器件，还包括：
第一静电保护层，位于N型氮化镓层与有源层之间；以及
第二静电保护层，位于有源层与P型氮化镓层之间。
5.根据权利要求4所述的半极性氮化镓单量子阱蓝光发光器件，其中所述第一静电保护层和第二静电保护层为无掺杂的GaN层或InGaN层。
6.根据权利要求4所述的半极性氮化镓单量子阱蓝光发光器件，其中所述第一静电保护层和第二静电保护层为低掺杂浓度的GaN层或InGaN层。
7.根据权利要求5或6所述的半极性氮化镓单量子阱蓝光发光器件，其中所述第一静电保护层和第二静电保护层厚度为
8.根据权利要求1所述的半极性氮化镓单量子阱蓝光发光器件，其中所述半极性面为(20
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安赛富乐斯半导体科技有限公司，未经西安赛富乐斯半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201822027653.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
