[实用新型]半极性氮化镓半导体构件有效
| 申请号： | 201822027655.4 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN208970551U | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 陈辰;宋杰;崔周源 | 申请（专利权）人： | 西安赛富乐斯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京金讯知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11554 | 代理人： | 黄剑飞 |
| 地址： | 710003 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 源层 氮化镓半导体 泄漏电流 半极性 防护层 量子阱层 | ||
1.一种半极性氮化镓半导体构件，其包括：
N型氮化镓层；
P型氮化镓层；
有源层，位于N型氮化镓层和P型氮化镓层之间，包括一个或两个量子阱层；以及
第一泄漏电流防护层，位于N型氮化镓层与有源层之间；以及
第二泄漏电流防护层，位于有源层与P型氮化镓层之间。
2.根据权利要求1所述半极性氮化镓半导体构件，其中所述第一泄漏电流防护层和第二泄漏电流防护层为无掺杂的GaN层或AlGaN层。
3.根据权利要求1所述半极性氮化镓半导体构件，其中所述第一泄漏电流防护层和第二泄漏电流防护层为低掺杂浓度的GaN层或AlGaN层。
4.根据权利要求2或3所述半极性氮化镓半导体构件，其中所述AlGaN层中Al的质量百分占比小于20％。
5.根据权利要求4所述半极性氮化镓半导体构件，其中第一泄漏电流防护层或第二泄漏电流防护层中的Al的质量百分占比小于有源层中的阻挡层中的Al的质量百分占比。
6.根据权利要求5所述半极性氮化镓半导体构件，其中第一泄漏电流防护层或第二泄漏电流防护层中的带隙宽度大于相邻有源层中的阻挡层的带隙宽度。
7.根据权利要求5所述半极性氮化镓半导体构件，其中所述第一泄漏电流防护层的N型掺杂浓度小于1×1018/cm3，而所述第二泄漏电流防护层P型掺杂浓度小于5×1018/cm3。
8.根据权利要求1所述半极性氮化镓半导体构件，其中所述第一泄漏电流防护层和第二泄漏电流防护层厚度为
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