[实用新型]芯片塑封结构及晶圆片级塑封结构

说明书

本实用新型提出一种芯片塑封结构及晶圆片级塑封结构，涉及半导体生产技术领域，晶圆片级塑封结构包括：多颗底芯片；芯片堆栈组，设置于所述多颗底芯片上，所述多颗底芯片之间具有间隙；塑封材料，覆盖于所述底芯片的内表面上，且所述塑封材料覆盖所述底芯片的侧表面。本实用新型提供的技术方案通过先将晶圆切割为独立的底芯片晶圆边缘芯片，并在将晶圆边缘芯片拾取后再进行塑封，可以避免在进行塑封时损坏底芯片，相比较现有技术，提高了晶圆片級封裝结构的封裝质量和良率。

技术领域

本实用新型涉及半导体生产技术领域，尤其涉及一种芯片塑封结构及晶圆片级塑封结构。

背景技术

不同于传统的芯片封装方式，晶圆片级封装(WLCSP，Wafer Level Chip ScalePackaging)是先在整片晶圆上进行封装和测试，然后才切割成一个个的芯片颗粒，因此封装后的封装体的体积即几乎等同于裸芯片的原尺寸。

在晶圆级封装的塑封工艺中，塑封料的起始状态为液态或加热后为液态并在冷却后进行固化。为了保障注塑于晶圆表面的塑封料具有预定的塑封密度，液态的塑封料在塑封模具内必须具有一定的注塑压力，

在当前的晶圆级封装的塑封工艺中，塑封模具的环形的上下模具夹合晶圆，进行晶圆级模封。塑封模具的环形夹具按压在晶圆内表面的边缘处，用来固定晶圆，塑封完成后环形夹具与晶圆分离。

在环形夹具夹合过程中，晶圆的边缘部分极易破碎或破裂，并影响邻近晶圆边缘处的正常芯片，从而引起封装质量及良率的问题。

鉴于以上所述，如何避免晶圆塑封和切割过程中易出现的边緣破碎现象是当前需要解决的问题。

需要说明的是，在上述背景技术部分实用新型的信息仅用于加强对本实用新型的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种芯片塑封结构及晶圆片级塑封结构，至少在一定程度上克服晶圆塑封和切割过程中易出现的边缘破碎问题。

本实用新型的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本实用新型的实践而习得。

根据本实用新型实施例的第一方面，提供一种晶圆片级塑封封装结构，包括：多颗底芯片；芯片堆栈组，设置于所述多颗底芯片上，所述多颗底芯片之间具有间隙；塑封材料，覆盖于所述底芯片的内表面上，且所述塑封材料覆盖所述底芯片的侧表面。

在一种实施例中，所述间隙的宽度为50μm至200μm。

在一种实施例中，所述结构还包括：载体，粘接在所述底芯片的外表面。

在一种实施例中，所述底芯片包括控制器芯片或者硅中介板。

在一种实施例中，所述芯片堆栈组之间通过硅通孔导通；和/或，所述底芯片的外表面设置有安装端子。

在一种实施例中，所述底芯片与所述芯片堆栈组通过顶端凸块或设置有焊料的柱状凸块导通。

根据本实用新型实施例的第二方面，提供一种芯片塑封结构，所述结构根据上述技术方案中的晶圆片级塑封结构的制作方法制成，所述结构包括：

底芯片；芯片堆栈组，设置于所述底芯片上；塑封材料，覆盖于所述底芯片的内表面上，且所述塑封材料覆盖所述底芯片的侧表面。

在一种实施例中，所述底芯片包括控制器芯片或者硅中介板。

在一种实施例中，所述芯片堆栈组之间通过硅通孔导通；和/或，所述底芯片的外表面设置有安装端子。

在一种实施例中，所述底芯片与所述芯片堆栈组通过顶端凸块或设置有焊料的柱状凸块导通。