[实用新型]湿法处理设备

说明书

本实用新型提供了一种湿法处理设备，通过在向喷嘴供液的供液管道上增设一回吸管道，并在所述回吸管道上设置一回吸阀，使得在停止喷嘴喷液时，可以进一步打开回吸阀，以产生负压，使喷嘴及其附近的供液管道中残留的液体回吸，有效防止这些残留的化学液从喷嘴处滴落的可能性，进而消除因喷嘴处化学液偷滴而产生的线状缺陷，提高产品良率，改善湿法处理设备的处理效率并提升湿法处理设备的产出良率。

技术领域

本实用新型涉及半导体生产制造技术领域，特别涉及一种湿法处理设备。

背景技术

目前，随着超大规模集成电路的器件特征尺寸不断缩小，集成度不断提高，对各步工艺的控制及其工艺结果的精确度提出了更高的要求。其中，湿法刻蚀(包括湿法清洗)工艺在集成电路制造过程中主要有如下作用：其一是利用化学液(包括酸碱药液、有机溶液和去离子水)清洗晶圆，以减少晶圆的污染和缺陷；其二是各向同性地刻蚀某些特定的薄膜，以得到所需的形状。

一种利用单片式湿法机台进行湿法刻蚀(包括湿法清洗)的过程包括：

首先，请参考图1A，将晶圆200置于承载台100上，此时用于喷淋化学液的喷嘴102此时处于晶圆200外侧；

然后，进行湿法刻蚀(包括湿法清洗)，请参考图1B，化学液103从喷嘴102喷出，晶圆200绕自身中轴线做旋转运动，且喷嘴102绕喷嘴驱动组件101转动，以在沿晶圆200表面做往复式转动，从而完成对晶圆表面的清洗均匀；

之后，待湿法刻蚀(包括湿法清洗)结束时，请参考图1C，喷嘴102停止喷出化学液，并绕喷嘴驱动组件101转动到晶圆200的一侧，晶圆200继续旋转一段时间，以甩干表面上的化学液。

然而，请参考图2，实用新型人发现，上述的单片式湿法机台产出的晶圆表面经常会出现线状缺陷(line defect)201。请参考图1C和图2，实用新型人研究发现，产生该线状缺陷的原因主要是：该单片式湿法机台的喷嘴102没有回吸功能，在停止向喷嘴102供液后，由于喷嘴102的出口向下，喷嘴102及其连接的下垂的管道(未图示)中残留的化学液由于自身的重力及液体的延展性，就会顺着喷嘴102的边缘自然下滴，直到下垂管道以及喷嘴102中的化学液滴完才会停下来，这就是化学液偷滴的现象，当喷嘴102还没有完全离开晶圆表面上方时，这些偷滴出来的这些液滴103a势必会掉落在晶圆200表面上，滴落在晶圆200表面的这些液滴103a在晶圆200旋转甩干的过程中，受到离心力的作用，会沿着晶圆200表面划过且其所到之处会继续与晶圆200的表面反应，进而产生所述线状缺陷201，该线状缺陷201极有可能引起废片，降低产品良率。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种湿法处理设备，能防止喷嘴处的偷滴现象，改善湿法处理设备的处理效率并提升湿法处理设备的产出良率。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种湿法处理设备，包括：

喷嘴；

供液管道，连通所述喷嘴；

供液阀，设置在所述供液管道上；

回吸管道，与所述供液管道连通；以及，

回吸阀，设置在所述回吸管道上。

可选地，所述回吸阀为气阀，所述气阀的气体流量为可调节的。

可选地，所述的湿法处理设备还包括：用于控制所述回吸阀开关的电磁阀，所述电磁阀连接所述回吸阀。

可选地，所述供液管道包括依次连接的折弯段、分流段以及进液段，所述折弯段连通所述喷嘴并具有折弯；所述供液阀设置在所述进液段和所述分流段的连接处，所述回吸管道与所述分流段连通。

可选地，所述回吸管道和所述供液管道均为软管。

可选地，所述折弯段的长度不小于为10mm。