[实用新型]清洁装置

说明书

本实用新型提供一种清洁装置，清洁装置包括静电除尘器，静电除尘器包括集尘极及电晕极；驱动部件，驱动部件至少包括两个伸缩单元及一个旋转单元；伸缩单元与静电除尘器相连接，通过伸缩单元控制静电除尘器的位移；旋转单元与伸缩单元相连接，位于伸缩单元之间，通过旋转单元控制伸缩单元的方向。本实用新型的清洁装置，通过清洁装置中的驱动部件调试静电除尘器的位置，提高操作便捷性；通过静电除尘器，进行静电除尘；从而在半导体设备中可有效清洁悬浮于空气中的颗粒、清洁耗时短、清洁效率高、清洁效果好、在清洁过程中不会引入外来颗粒，因此可节约资源及提高产品的良率。

技术领域

本实用新型属于半导体集成电路领域，涉及一种清洁装置。

背景技术

在半导体集成电路领域中，光刻工艺一直被认为是集成电路制造中最关键的步骤，其在整个工艺过程中需要被多次使用，对产品的质量有着重要的影响。

光刻工艺即利用光学与化学反应和化学、物理刻蚀方法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。

在对晶圆表面进行涂胶的涂胶机中以及在对晶圆的表面所涂覆的光刻胶进行曝光的光刻机中，通常会具有反应副产物，该部分反应副产物虽然大部分被移出工艺腔室，但仍会有少数反应副产物残留在工艺腔室中，从而影响晶圆的质量，尤其是残留在用于放置晶圆的卡盘上。因此为确保产品质量，工作人员常常需采用相应的工具和化学药品对工艺腔室进行定期的维护保养，如采用无尘布以擦拭的方式对卡盘及工艺腔室进行维护保养。但采用无尘布进行擦拭的方式会造成清洁耗时长、清洁效率低、清洁效果差、无法清洁悬浮于空气中的颗粒、清洁过程中可能会引入外来颗粒的问题，因此会造成资源的浪费以及对产品的良率产生潜在的危害。

因此，有必要提供一种清洁装置，以解决清洁过程中造成的资源的浪费以及对产品的良率产生潜在的危害的问题。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种清洁装置，用于解决现有技术中，在对半导体设备进行清洁时所产生的上述一系列的清洁问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种清洁装置，所述清洁装置包括：

静电除尘器，所述静电除尘器包括集尘极及电晕极；

驱动部件，所述驱动部件至少包括两个伸缩单元及一个旋转单元；所述伸缩单元与所述静电除尘器相连接，通过所述伸缩单元控制所述静电除尘器的位移；所述旋转单元与所述伸缩单元相连接，位于所述伸缩单元之间，通过所述旋转单元控制所述伸缩单元的方向。

可选地，所述静电除尘器包括单层静电除尘器及多层静电除尘器中的一种或组合。

可选地，所述集尘极包括金属网板，所述静电除尘器还包括沉积板，所述沉积板设置于所述金属网板下方。

可选地，所述电晕极包括圆形线电晕极、星形线电晕极、锯齿线电晕极及芒刺线电晕极中的一种或组合。

可选地，所述清洁装置还包括高压供电设备，所述高压供电设备用于给所述静电除尘器供电，所述高压供电设备的输出电压范围包括50kV～120kV。

可选地，所述伸缩单元的伸缩范围包括0mm～1000mm。

可选地，所述伸缩单元包括伸缩杆，所述伸缩杆的直径范围包括20mm～100mm。

可选地，所述清洁装置还包括静电除尘箱体，所述静电除尘箱体包括长度范围为600mm～1000mm，宽度范围为200mm～350mm，高度范围为350mm～600mm的矩形箱体。

可选地，上述清洁装置包括应用于半导体设备中的清洁装置，其中，所述半导体设备包括光刻机或涂胶机。