[实用新型]一种深紫外发光二极管芯片

权利要求书

1.一种深紫外发光二极管芯片，其特征在于，所述深紫外发光二极管芯片包括多个子芯片，每个所述子芯片的大小相等，且所述子芯片间横向纵向间隔距离相同，每一所述子芯片形貌为圆形，直径为20-100um，每个所述子芯片包括衬底，以及外延片，所述外延片包括依次层叠在所述衬底上的氮化铝缓冲层、N型氮化镓铝层、多量子阱有源层和P型氮化镓铝层，所述多个子芯片呈矩阵方式分布在芯片的N型氮化镓铝层上；

所述芯片上设有凹槽，所述凹槽从P型氮化镓铝层延伸至所述N型氮化镓铝层，所述芯片最外侧的凹槽内设有将外延片分割成多个子芯片的隔离槽，所述隔离槽从N型氮化镓铝层延伸至氮化铝缓冲层；

所述P型氮化镓铝层上蒸镀有一次P电极，所述凹槽处的N型氮化镓铝层上蒸镀有一次N电极，所述隔离槽、一次P电极、一次N电极、凹槽的侧壁上均设有一次绝缘层，所述一次绝缘层在所述一次P电极上设有一次P电极开孔，所述一次绝缘层在所述一次N电极上设有一次N电极开孔，所述一次P电极开孔上设有二次P电极，所述一次N电极开孔上设有二次N电极，所述二次P电极与一次P电极联通，所述二次N电极与一次N电极联通；

所述一次绝缘层、二次P电极、二次N电极上均设有二次绝缘层，所述二次绝缘层在所述二次P电极上设有二次P电极开孔，所述二次绝缘层在所述二次N电极上设有二次N电极开孔，所述二次P电极开孔上设有三次P电极焊盘，所述二次N电极开孔上设有三次N电极焊盘，所述三次P电极焊盘与二次P电极联通，所述三次N电极焊盘与二次N电极联通。

2.根据权利要求1所述的深紫外发光二极管芯片，其特征在于，子芯片颗数大于等于3颗；相邻两个子芯片的距离大于30um；所述子芯片区域上为各子芯片独立的P电极，所述子芯片的P电极面积其占比子芯片面积大于90％，所述一次N电极面积占N型区域面积的90％及以上。

3.根据权利要求1所述的深紫外发光二极管芯片，其特征在于，所述隔离槽的角度在60°至75°，所述隔离槽包括上、下、左、右侧，其中上侧、左侧、右侧均是直线型边缘，下侧是波浪形标识边缘。

4.根据权利要求1所述的深紫外发光二极管芯片，其特征在于，所述一次N电极图形呈蜂窝状，所述一次N电极材料为AL/Ti/Au，且AL金属前有一层Cr或Ti薄膜作粘附层。

5.根据权利要求1所述的深紫外发光二极管芯片，其特征在于，所述一次P电极材料为Ni/Au。

6.根据权利要求1所述的深紫外发光二极管芯片，其特征在于，所述二次N电极、二次P电极材料为Ti或Cr/AL或Au/Ti或Cr。

7.根据权利要求1所述的深紫外发光二极管芯片，其特征在于，所述三次N电极焊盘和三次P电极焊盘对称分布，其中所述三次N电极焊盘内边缘有凹槽开口，所述三次N电极焊盘和三次P电极焊盘的厚度为1um～5um，所述三次N电极焊盘和三次P电极焊盘之间间隔大于等于90um。