[实用新型]基于多壁碳纳米管的微偏振片阵列有效
| 申请号： | 201822033621.6 | 申请日： | 2018-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN209148899U | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 赵旸;郭建;张鹏;侯虎旺 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | G02B5/30 | 分类号： | G02B5/30;G02B27/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李佳 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微偏振片 偏振片 多壁碳纳米管 本实用新型 催化剂层 碳纳米管 缓冲层 基底 沉积 一维纳米材料 延展性 六边形结构 偏振态测量 柔韧性 领域技术 耐腐蚀性 生长 图形化 重量轻 催化剂 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于多壁碳纳米管的微偏振片阵列，其特征在于，包括：
基底(1)；
缓冲层(2)，沉积在所述基底上；
图形化催化剂层，沉积在所述缓冲层上；
一个或多个偏振片单元(3)，生长在所述图形化催化剂层上，且各偏振片单元包括4个不同方向的偏振片；
其中，所述偏振片材料为多壁碳纳米管。
2.根据权利要求1所述的基于多壁碳纳米管的微偏振片阵列，其特征在于，所述基底(1)为玻璃基底或二氧化硅基底。
3.根据权利要求1所述的基于多壁碳纳米管的微偏振片阵列，其特征在于，所述缓冲层(2)为氧化铝层，厚度为10-20nm之间。
4.根据权利要求1所述的基于多壁碳纳米管的微偏振片阵列，其特征在于，所述催化剂层为铁层，厚度为1-2nm之间。
5.根据权利要求1所述的基于多壁碳纳米管的微偏振片阵列，其特征在于，所述偏振片单元(3)为0°、45°、90°、135°四个方向偏振片，且沿顺时针依次排列形成2*2阵列。
6.根据权利要求1-5任一项所述的基于多壁碳纳米管的微偏振片阵列，其特征在于，所述多壁碳纳米管为致密化顺序排布的多壁碳纳米管。
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