[实用新型]扇出型天线封装结构

说明书

本实用新型提供一种扇出型天线封装结构，包括：重新布线层；半导体芯片，装设于重新布线层上；第一塑封材料层，位于重新布线层的第一表面；第二塑封材料层，位于重新布线层的第二表面；至少一层第一天线结构，位于第二塑封材料层远离重新布线层的表面；第一电连接结构，位于第二塑封材料层内；顶层塑封材料层，位于第一天线结构远离第二塑封材料层的表面；顶层塑封材料层内形成有通孔；第二天线结构，位于顶层塑封材料层远离第一天线结构的表面；第二电连接结构，位于顶层塑封材料层内；焊料凸块，位于连接通孔内。本实用新型通过在顶层塑封材料层内形成暴露出第一天线结构中的天线的通孔，可以使得天线讯号更好，从而可以提高天线性能。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别是涉及一种扇出型天线封装结构。

背景技术

现有的扇出型天线封装结构一般包括多层天线结构，由于天线结构一般均为金属线，位于上层的天线结构会对下层的天线结构的信号造成严重的信号损耗，从而影响扇出型天线封装结构中的天线性能。此外，现有扇出型天线封装结构中的半导体芯片与天线结构一般位于重新布线层的同一侧，天线结构会对芯片造成噪声干扰，从而影响半导体芯片的性能。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种扇出型天线封装结构，用于解决现有技术中的扇出型天线结构存在的位于上层的天线结构会对下层的天线结构的信号造成严重的信号损耗，从而影响扇出型天线封装结构中的天线性能的问题，以及天线结构会对芯片造成噪声干扰，从而影响半导体芯片的性能的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种扇出型天线封装结构，所述扇出型天线封装结构包括：

重新布线层，包括相对的第一表面及第二表面；

半导体芯片，装设于所述重新布线层的第一表面，且与所述重新布线层电连接；

第一塑封材料层，位于所述重新布线层的第一表面，且将所述半导体芯片封裹塑封；

第二塑封材料层，位于所述重新布线层的第二表面；

至少一层第一天线结构，位于所述第二塑封材料层远离所述重新布线层的表面；所述第一天线结构包括天线及位于所述天线外侧的地线；

第一电连接结构，位于所述第二塑封材料层内，一端与所述重新布线层电连接，另一端与所述第一天线结构电连接；

顶层塑封材料层，位于所述第一天线结构远离所述第二塑封材料层的表面，且将所述第一天线结构塑封；所述顶层塑封材料层内形成有通孔，所述通孔至少暴露出所述第一天线结构中的所述天线；

第二天线结构，位于所述顶层塑封材料层远离所述第一天线结构的表面；

第二电连接结构，位于所述顶层塑封材料层内，一端与所述第二天线结构电连接，另一端与所述地线电连接；

连接通孔，位于所述第一塑封材料层内，且暴露出部分所述重新布线层的第一表面；

焊料凸块，位于所述连接通孔内，且与所述重新布线层电连接。

可选地，所述第一天线结构为N层，N层所述第一天线结构上下间隔排布；所述扇出型天线封装结构还包括：

N层层间塑封材料层，所述层间塑封材料层将位于同一层的所述第一天线结构塑封，且位于上一层所述天线结构的下方；其中，N为大于等于2的整数；

层间电连接结构，位于所述层间塑封材料层内，且将相邻两层所述第一天线结构中的所述地线电连接；

所述第一电连接结构远离所述重新布线层的一端与位于底层的所述第一天线结构电连接；所述第二电连接结构远离所述第二天线结构的一端与位于顶层的所述第一天线结构中的所述地线电连接；所述顶层塑封材料层中的所述通孔暴露出位于顶层的所述第一天线结构中的所述天线。