[实用新型]一种1.27mm窄引线间距光MOS固体继电器

说明书

一种1.27mm窄引线间距光MOS固体继电器，包括陶瓷金属化管壳和金属管帽，陶瓷金属化管壳两侧设有输入引脚和输出引脚；陶瓷金属化管壳内底面上设有两列焊盘，分别对应输入引脚和输出引脚；对应输入引脚的该列焊盘与输入引脚电气连接，并粘接有光伏打电池组件芯片；对应输出引脚的该列焊盘与输出引脚电气连接，并粘接有功率场效应管芯片；对应输入引脚的该列焊盘上方设有陶瓷盖板，且陶瓷盖板的下端面上通过焊盘粘接有发光二极管芯片，并使发光二极管芯片位于光伏打电池组件芯片的正上方。本实用新型采用混合微电路工艺，全芯片化组装，结构紧凑，靠性高，实现了引出脚间距仅为1.27mm，适合高密度组装印制电路板的设计。

技术领域

本实用新型属于继电器制造技术领域，具体涉及一种1.27mm窄引线间距光MOS固体继电器。

背景技术

光MOS固体继电器是一种光电隔离、功率场效应管输出的无触点开关器件。它是以发光二极管(LED)、光伏二极管阵列(PVDA)作为隔离耦合器件、功率场效应管(MOSFET)作为输出器件而集成为一体的具有高速开关功能的微型化固体继电器。具有体积小、寿命长、可靠性高、耐恶劣环境、输入输出电压隔离特性优良等特点，现正在大量取代传统小型继电器，被广泛应用在自动控制、计算机通信及终端装置等领域以及航天、航空、地面装备的电气控制电路中，市场前景广阔。传统的陶瓷封装光MOS继电器安装方式为双列直插(DIP封装)或表面贴装(SMD封装)两种形式，引出脚间距均为2.54mm，体积较大，不能满足高密度组装要求。

实用新型内容

本实用新型解决的技术问题：设计一种1.27mm窄引线间距光MOS固体继电器，以克服现有技术的不足。

本实用新型的技术解决方案：一种1.27mm窄引线间距光MOS继电器，包括陶瓷金属化管壳、密封固定在陶瓷金属化管壳端口上的金属管帽，所述陶瓷金属化管壳两侧对称设有八个输入引脚和八个输出引脚；所述陶瓷金属化管壳内底面上设有两列焊盘，分别对应八个输入引脚和八个输出引脚；对应八个输入引脚的该列焊盘由四组焊盘组成，每组焊盘包括焊盘A、焊盘B、焊盘C；所述焊盘A、焊盘B对称位于焊盘C的两侧，且焊盘A、焊盘B分别与对应的八个输入引脚电气连接；所述焊盘C上通过导电银胶粘接工艺粘接有光伏打电池组件芯片；对应八个输出引脚的该列焊盘由四组焊盘组成，每组焊盘包括焊盘D、焊盘E，且焊盘D、焊盘E分别与对应的八个输出引脚电气连接；所述焊盘D、焊盘E上通过导电银胶粘接工艺分别粘接有功率场效应管芯片，且两个功率场效应管芯片的D极分别与焊盘D、焊盘E电气连接，两个功率场效应管芯片之间通过金丝键合线电气连接；所述焊盘A、焊盘B上端设有陶瓷盖板，且陶瓷盖板的下端面上设有焊盘F、焊盘G，所述焊盘F上通过导电银胶粘接工艺粘接有发光二极管芯片，使发光二极管芯片的负极与焊盘F电气连接，所述发光二极管芯片的正极通过金丝键合线与焊盘G电气连接；所述焊盘F、焊盘G通过导电银胶粘接工艺分别粘接在焊盘A、焊盘B的上端面，使发光二极管芯片位于光伏打电池组件芯片的正上方；所述光伏打电池组件芯片与功率场效应管芯片之间通过金丝键合线电气连接。

所述陶瓷金属化管壳内底面上设有第三列焊盘，所述光伏打电池组件芯片与功率场效应管芯片之间以及每组功率场效应管芯片之间通过第三列焊盘和金丝键合线电气连接。

所述金属管帽通过平行缝焊密封结构固定在金属化管壳的端口上。

本实用新型与现有技术相比具有的优点和效果：

1、本实用新型采用混合微电路工艺，全芯片化组装，结构紧凑,靠性高，实现了引出脚间距仅为1.27mm，适合高密度组装印制电路板的设计。

2、本实用新型体积小、输出组数多、输出电流大，密封性优良，适用环境温度范围较宽，贮存温度：-65℃～150℃；工作温度：-55℃～125℃。

附图说明

图1为本实用新型外形图，

图2为本实用新型结构剖视图，