[实用新型]一种基于电流比较的LDO限流电路及电子设备

说明书

本实用新型公开一种基于电流比较的LDO限流电路及电子设备，其中LDO限流电路，包括晶体管PM0，晶体管PM0的栅端与晶体管PM1的栅端、晶体管PM8的漏端和运放AMP0的输出端连接，晶体管PM0的漏端与电压输出端VLDO、电阻R1的一端和第一电流镜的参考电流输入端连接，电阻R1的另一端与电阻R2的一端和运放AMP0的正向输入端连接，运放AMP0的反向输入端与参考电压源连接，晶体管PM1的漏端与第一电流镜的第一镜像电流输入端连接，本电路采取的是电流比较的方式进行，能有效提升反馈控制环路的增益，提高系统限流的精确性。

技术领域

本实用新型涉及LDO限流电路领域，尤其涉及一种基于电流比较的LDO限流电路及电子设备。

背景技术

LDO(low dropout regulator，线性稳压器)使用在其线性区域内运行的晶体管或场效应管(FET)，从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。所谓压降电压，是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下100mV之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值。

没有LDO限流保护模块的缺陷：

1.传统LDO线性稳压器，如果没有限流保护电路的情况下，容易出现模块上电电流会过大，这时会影响上级系统电源的稳定性，从而影响电子系统稳定性能，甚至造成死机现象。

2.过大的电流对外部负载的冲击，在电流较大的时候，容易引起芯片发热，容易导致电路的寿命下降甚至是失效。

实用新型内容

为此，需要提供一种基于电流比较的LDO限流电路及电子设备，解决LDO电流过大的问题。

为实现上述目的，发明人提供了一种基于电流比较的LDO限流电路，包括晶体管PM0，晶体管PM0的栅端与晶体管PM1的栅端、晶体管PM8的漏端和运放AMP0的输出端连接，晶体管PM0的漏端与电压输出端VLDO、电阻R1的一端和第一电流镜的参考电流输入端连接，电阻R1的另一端与电阻R2的一端和运放AMP0的正向输入端连接，运放AMP0的反向输入端与参考电压源连接，晶体管PM1的漏端与第一电流镜的第一镜像电流输入端连接，第一电流镜的第二镜像电流输入端与电压跟随单元的输入端、电阻R3的一端和第二电流镜的镜像电流输出端连接，第二电流镜的参考电流输出端与参考电流源的电流输入端连接，电压跟随单元的输出端和晶体管PM8的栅端连接，电阻R3的另一端与公共电压端VCOM连接，晶体管PM8的源端、晶体管PM0的源端、晶体管PM1的源端、第二电流镜的镜像电流输入端、第二电流镜的参考电流输入端和电源正极VDD连接，电阻R2的另一端、第一电流镜的参考电流输出端、第一电流镜的第一镜像电流输出端、第一电流镜的第二镜像电流输出端、参考电流源的电流输出端与电源负极VSS连接。

进一步地，所述第一电流镜包括晶体管PM2、晶体管PM3、晶体管NM0、晶体管NM1、晶体管NM2、晶体管NM3、晶体管NM4、晶体管NM5，晶体管PM3的源端与电阻R1的一端连接，晶体管PM3的栅端与晶体管PM2的栅端、晶体管PM3的漏端和晶体管NM0的漏端连接，晶体管PM2的源端与晶体管PM1的漏端连接，晶体管PM2的漏端与晶体管NM1的漏端、晶体管NM3的栅端、晶体管NM2的栅端、晶体管NM5的栅端连接，晶体管NM1的栅端与晶体管NM0的栅端、晶体管NM4的栅端和电压节点VBN0连接，晶体管NM0的源端与晶体管NM2的漏端连接，晶体管NM1的源端与晶体管NM3的漏端连接，晶体管NM4的源端与晶体管NM5的漏端连接，晶体管NM4的漏端与电阻R3的一端连接，晶体管NM2的源端、晶体管NM3的源端、晶体管NM5的源端与电源负极VSS连接。

进一步地，所述第二电流镜包括晶体管PM4、晶体管PM5、晶体管PM6、晶体管PM7，晶体管PM4的源端和晶体管PM5的源端与电源正极VDD连接，晶体管PM4的栅端与晶体管PM5的栅端、晶体管PM6的漏端和电阻R3的一端连接，晶体管PM4的漏端与晶体管PM6的源端连接，晶体管PM5的漏端与晶体管PM7的源端连接，晶体管PM6的栅端与晶体管PM7的栅端和电压节点VBP0连接。