[实用新型]晶圆承载装置及带有晶圆承载装置的金属离子检测设备有效

专利信息
申请号: 201822046417.8 申请日: 2018-12-06
公开(公告)号: CN208954964U 公开(公告)日: 2019-06-07
发明(设计)人: 李丹;高英哲;张文福;刘家桦;叶日铨 申请(专利权)人: 德淮半导体有限公司
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683;H01L21/67
代理公司: 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 代理人: 孙佳胤
地址: 223300 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 晶圆承载装置 承载盘 晶圆 金属离子检测 容纳腔 金属 竖直 检测 驱动器 机台 承载装置 检测结果 交叉污染 金属离子 升降运动 种晶 投影 保证 驱动
【说明书】:

实用新型涉及一种晶圆承载装置及带有晶圆承载装置的金属离子检测设备具有第一承载盘和第二承载盘,因此可以用于放置粘附有不同的金属等级的金属离子的晶圆。由于第一承载盘设置有第一容纳腔,第二承载盘在竖直方向上的投影在第一容纳腔内,因此,可以保证晶圆承载装置一次只能放置一个晶圆。由于还具有能够分别驱动第一承载盘和第二承载盘沿竖直方向做升降运动的驱动器,因此能够保证在将晶圆放置到晶圆承载装置中时,只有一个承载盘会与晶圆相接触。使用晶圆承载装置及带有晶圆承载装置的金属离子检测设备,能够在同一检测机台中检测多种金属等级的晶圆,而避免检测过程中不同金属等级的晶圆之间的交叉污染,使最终的检测结果更加准确。

技术领域

本实用新型涉及晶圆生产领域,具体涉及一种晶圆承载装置及带有晶圆承载装置的金属离子检测设备。

背景技术

目前,半导体制造业正逐渐向高运行速度、较小的器件尺寸方向发展。导体器件的尺寸不断缩小,芯片中元件密度的不断增加,元件间距离变得越来越小,甚至到纳米级。然而,在整个生产过程中引入元渐渐的痕量杂质元素可能使芯片的合格率降低。特定的污染问题可导致半导体器件的不同缺陷,如碱金属与碱土金属(Li,Na,K,Ca,Mg,Ba等)污染可导致元件击穿电压的降低;过渡金属与重金属(Fe,Cr,Ni,Cu,Au,Mn,Pb等)污染可使元件的寿命缩短,或者使元件工作时间的暗电流增大。作为加工器件的原材料,晶圆表面的金属离子将直接影响器件加工的合格率,对晶圆进行表面金属离子测试已经被大部分生产厂商所使用。

为了实现超微量金属离子(约1×108atom/cm2)的测试,必须通过使用VPD(VaporPhase decomposition,即化学气相分解),来进行晶圆表面金属离子的前处理,然后配合ICPMS(inductively coupled plasma mass spectrometry,即电感耦合等离子体质谱)、TXRF(total reflection X-ray fluorescence,即全反射X射线荧光光谱仪)或TOS-SIMS(time of flight secondary ion mass spectrometry,即时间飞行二次离子质谱)来实现。

在现有技术中,在检测晶圆的金属污染的时,是将晶圆放置到机台中模拟实际生产,然后将晶圆放置到检测机台中进行检测。在对不同金属等级的晶圆进行检测时,由于检测机台的价格昂贵,因此很难做到给一种金属等级的晶圆配备一台检测机台。通常情况下,会将多种金属等级的晶圆放置到同一检测机台中进行检测,以此来实现对不同金属等级的晶圆的检测。

但是在现有技术中,由于多种金属等级的晶圆均直接与检测机台相接触,因此在检测过程中也可能会造成交叉污染,影响最终的检测结果。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种晶圆承载装置及带有晶圆承载装置的金属离子检测设备,能够在同一检测机台中检测多种金属等级的晶圆,而避免检测过程中不同金属等级的晶圆之间的交叉污染,使最终的检测结果更加准确。

为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种晶圆承载装置,包括:第一承载盘和第二承载盘,沿竖直方向平行排列,均用于承载晶圆;驱动器,连接所述第一承载盘和第二承载盘,用于分别驱动所述第一承载盘和第二承载盘沿竖直方向做升降运动;所述第一承载盘设置有第一容纳腔,所述第二承载盘在竖直方向上的投影在所述第一容纳腔内。

可选的,所述第一承载盘的第一容纳腔的尺寸小于待承载的晶圆的直径。

可选的,所述第一承载盘和第二承载盘均设置有真空孔,用于吸附放置在所述承载盘表面的晶圆。

可选的,所述真空孔的数目大于1,均匀分布于所述第一承载盘和第二承载盘表面。

可选的,所述驱动器包括马达,所述马达的输出轴连接到所述第一承载盘和第二承载盘。

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