[实用新型]沉积系统

说明书

本实用新型提供一种沉积系统：包括沉积设备、控制中心、以及设置在沉积设备内的外延成长监控设备、翘曲变化监控设备与温度监控设备。沉积设备用于对晶圆进行外延成长以生成外延层；温度监控设备用于侦测沉积设备内的温度，以生成温度信息；翘曲变化监控设备用于侦测晶圆的翘曲度，以生成翘曲度信息；外延成长监控设备用于侦测外延成长工艺的情形，以生成外延成长信息；控制中心，与沉积设备、温度监控设备、翘曲变化监控设备与外延成长监控设备电性连接，接收并处理外延成长信息、翘曲度信息及温度信息。

技术领域

本实用新型涉及一种半导体技术领域，特别是在金属有机化学气相沉积设备中进行实时监控与回馈的沉积系统。

背景技术

有机金属化学气相沉积(MOCVD)技术目前普遍使用在半导体Ⅲ-Ⅴ族外延成长工艺上。在外延成长工艺中，为了确保Ⅲ-Ⅴ族衬底的质量，需要掌握 MOCVD反应腔的外延状况，并实时调整外延工艺参数。

目前实时量测外延状况大多采用真实温度量测设备及晶圆翘曲度量测设备，请参照图1，图1是现有技术沉积系统在第一平面上的示意图。如图1 所示，现有技术沉积系统1藉由管线112将前驱物气体运送至反应腔17，向反应腔17内喷洒前驱物气体。前驱物气体是由多种有机金属化合物气体混成，各种有机金属化合物气体被供给至混气槽11，在混气槽11中加以混合后再运送至反应腔17。反应腔17藉由抽气泵19抽气以保持低压或真空，藉由安装在承载台18中的加热器(未图示)加热至反应温度，前驱物气体沉积于载放于承载台18上的晶圆W表面，以形成外延层。现有技术沉积系统1藉由安装在反应腔17中的真实温度量测设备13量测沉积温度，藉由晶圆翘曲度量测设备14对形成了外延层的晶圆W量测晶圆翘曲度。

然而现有技术沉积系统1不一定能及时将量测信息回馈至控制中心，且尚未开发量测外延成长的技术、及量测成膜质量的技术，无法掌握到外延层表面成长的实时变化、成膜质量与浓度的实时变化，因此无法实时回馈足够的量测信息，调整工艺参数遇到困难。

实用新型内容

为了改善现有技术所提及的缺失，本实用新型的目的是提供一种沉积系统包括沉积设备、控制中心、以及设置在沉积设备内的外延成长监控设备、翘曲变化监控设备与温度监控设备。沉积设备用于对晶圆进行外延成长以生成外延层；温度监控设备用于侦测沉积设备内的温度，以生成温度信息；翘曲变化监控设备用于侦测晶圆的翘曲度，以生成翘曲度信息；外延成长监控设备用于侦测外延成长工艺的情形，以生成外延成长信息；控制中心，与沉积设备、温度监控设备、翘曲变化监控设备与外延成长监控设备电性连接，接收并处理外延成长信息、翘曲度信息及温度信息。

基于上述，本实用新型的沉积系统藉由将所量测的外延成长信息、翘曲度信息、及温度信息回馈至控制中心，可实现MOCVD工艺实时监控的功能，实时调整工艺参数，有利于提升外延成长工艺的良率。

附图说明

图1是现有技术沉积系统在第一平面上的示意图；

图2是根据本实用新型所提供的技术，表示沉积系统在第一平面上的示意图；

图3是根据本实用新型技术的一个具体实施方式，表示沉积系统的系统架构图；以及

图4是根据本实用新型技术的一个具体实施方式，表示沉积系统中，X 射线衍射分析仪在第一平面上的示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术特征及优点，能更为相关技术领域人员所了解，并得以实施本实用新型，在此配合所附的图式、具体阐明本实用新型的技术特征与实施方式，并列举较佳实施例进一步说明。以下文中所对照的图式，为表达与本实用新型特征有关的示意，并不需要依据实际情形完整绘制。而关于本案实施方式的说明中涉及本领域技术人员所熟知的技术内容，亦不再加以陈述。